Температурное изменение - параметр
Cтраница 1
Температурные изменения параметра скорости ( табл. 2) свидетельствуют о том, что К для всех кислот растут при повышении температуры, соответственно растут и скорости кристаллизации. [1]
Нежелательные температурные изменения параметров происходят из-за того, что характеристики нелинейных элементов, выполняемых на основе полупроводниковых материалов, зависят от температуры окружающей среды. В усилителях, выполненных на лампах, появляются неконтролируемые температурные изменения логарифмирующих элементов - полупроводниковых диодов - из-за воздействия на диоды тепла, выделяемого электронными лампами. [2]
Температурные изменения параметров ферритов Br, Sw и других зависят от коэрцитивной силы Яс, которой обладает феррит при нормальной температуре. Чем меньше Яс, тем сильнее проявляется температурная нестабильность этих параметров. Это объясняется тем, что ферритам с малой Яс свойственны меньшие точки Кюри. Поэтому, чтобы обеспечить стабильную работу схемы, особенно при высоких температурах, для ФТЯ применяются сердечники с относительно большой напряженностью Яс, хотя для их перемагничивания требуется повышенная мощность. [3]
Очень значительны температурные изменения параметров опте-пар. К, а RTeM резко падает, так что диапазон изменения RTe / RCB сокращается с обеих сторон и может при температурах 60 - 70 С упасть до недопустимо малых значений. При охлаждении очень существенно возрастает инерционность оптопары. [4]
 |
Температурные зависимости параметров транзистора. [5] |
За счет температурных изменений параметров входное сопротивление транзистора, как правило, с повышением температуры снижается. [6]
Технологический разброс и температурное изменение параметров полупроводниковых приборов ( как и всех других элементов) неизбежны. При этом необходимо обеспечить заданную стабильность и малый разброс характеристик законченных устройств в заданном диапазоне температур. [7]
В этом случае все температурные изменения параметров обоих датчиков не будут нарушать равновесия моста. [8]
 |
Схема транзисторного последовательного стабилизатора постоянного напряжения. [9] |
В этой схеме происходит взаимная компенсация температурных изменений параметров цепей обоих транзисторов. [10]
Коэффициент передачи усилителя может изменяться вследствие температурного изменения параметров транзисторов, замены транзисторов, изменения питающих напряжений и других причин. [11]
С увеличением JV допускается больший технологический разброс и температурные изменения параметров транзисторов, повышается помехозащищенность и невосприимчивость схемы к колебаниям напряжения питания, однако ухудшается чувствительность, увеличивается мощность управления и несколько ухудшается быстродействие. Физически это связано с изменением состояния коллекторного перехода и снижением высоты его потенциального барьера, так как избыточный заряд подвижных носителей заполняет не только центральную, но и периферийные области базовой пластинки. В этом же режиме напряжение на переходе база-эмиттер может достигать 1 - 1 5 В, т.е. UQ э нас UK с, за счет падения напряжения в базовой области вблизи внешнего вывода. [12]
При расчете схем необходимо учитывать технологический разброс и температурное изменение параметров приборов; зависимость параметров от электрического режима и дрейф параметров в результате старения приборов. Схема должна оставаться работоспособной при всех возможных изменениях параметров ПП. [13]
Характерное ограничение по наименьшему сигналу, который может быть усилен, достигается главным образом температурными изменениями параметров транзисторов. В большинстве схем на транзисторах с непосредственной связью основное ограничение вызывается изменениями напряжения в диодной цепи эмиттер-база. Эти изменения имеют величину, приблизительно паравную - 2 5 мв / град. При использовании балансных схем колебания могут быть доведены до эквивалентного значения, меньшего 10 мкв / град. В одном из полупроводниковых модуляторов параметрический усилитель с переменной емкостью показал ( в лабораторных условиях) ограничение, вызванное не дрейфом1), а главным образом случайными шумами. [14]
Страницы: 1 2 3 4