Температурное изменение - параметр
Cтраница 3
В космической технике сталкиваются с серьезной проблемой управления температурой спутника. Управлять температурным режимом необходимо для того, чтобы ограничить температурное изменение параметров термочувствительных элементов, а также дать возможность применять элементы, работающие при комнатной температуре ( от 0 до 40 С) или в еще более узком диапазоне. [31]
В свою очередь ВАХ зависит как от конструкции, размеров и осн. ВАХ используются для измерения и контроля тсмп-ры и компенсации температурных изменений параметров электрич. [32]
Влияние температуры на модули упругости значительно увеличивается с повышением температуры. Это объясняется усиливающимся с повышением температуры влиянием пластической деформации, так как температурное изменение параметра решетки ( вследствие теплового расширения) сравнительно слабо растет с повышением температуры. [33]
 |
Конструкция радиометра ИКТЭРЛ-3.| Конструкция радиометра для измерения температуры поверхш. сти листьев. [34] |
В пирометрии и актинометрии 3d, 45, 93, 99, 114, 144 ] широкое применение получили термоэлектрические приемники, схемы которых приведены на рис. XIV. Центральная часть батареи черненая, иногда используют теи - довые шунты для компенсации температурных изменений параметров. [35]
Гибридные интегральные микросхемы сочетают преимущества пленочной и полупроводниковой технологий. Резисторы и конденсаторы, выполненные методом пленочной технологии, при малой занимаемой площади имеют большие номиналы, малые температурные изменения параметров и малый разброс параметров. [36]
 |
Структура гибридной интегральной микросхемы, эквивалентная схема которой показана на рис, 7 1 6. [37] |
Гибридные интегральные микросхемы позволяют использовать преимущества пленочной технологии в сочетании с полупровэднико-вой технологией. Резисторы и конденсаторы, созданные методами пленочной технологии, могут при малой занимаемой площади иметь большие номиналы и малые температурные изменения параметров, зависящие от выбранного резистивного или диэлектрического материала пленок. Контроль скорости осаждения или нанесения пленок в процессе создания резисторов и конденсаторов позволяет изготовлять их с большой точностью и малым разбросом параметров. [38]
Минимально допустимые значения - это значения параметров, при уменьшении которых ухудшается работа транзистора в схеме. Такими параметрами являются минимальные значения токов и напряжений, при которых транзистор еще может усиливать сигнал, или минимальная температура, соответствующая заданным температурным изменениям параметров. [39]
На рис. 1.140 показаны характеристики для интегральной микросхемы с ОС при тех же корректирующих элементах. Частотная характеристика интегральной микросхемы в режиме максимального выходного сигнала приведена на рис. 1.141. При стабилизации работы усилителя в широком диапазоне температур необходимо учитывать температурные изменения параметров микросхемы. [40]
Учитывая, что температурный режим транзисторов не только оказывает влияние на значения параметров, но и определяет надежность их эксплуатации, следует стремиться к минимальному выделению тепла, предусматривать защиту от тепловых перегрузок и применение эффективных методов отвода тепла от транзисторов. Эти требования особенно существенны для мощных транзисторов, которые работают при больших рассеиваемых мощностях. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры малые температурные изменения параметров приборов могут быть достигнуты посредством их эффективного охлаждения и применением устройств температурной стабилизации параметров. [42]
Во-вторых, регенеративные схемы со ступенчатым счетом на магнитных сердечниках обладают следующими важными свойствами. При увеличении напряжения источника питания происходит увеличение амплитуды генерируемых импульсов напряжения, но при этом длительность генерируемых импульсов уменьшается, так что произведение UtK остается в значительных пределах постоянным. То же происходит и при температурных изменениях параметров торов. [43]
 |
Ход зависимости емкости от приложенного напряжения. [44] |
Отрицательным свойством полупроводниковых выпрямителей является существенная зависимость их параметров от температуры, что обусловливается природой полупроводниковых материалов; эта зависимость значительно ограничивает температурные пределы, в которых выпрямители могут работать. Степень изменения параметров с температурой может быть охарактеризована соответствующим температурным коэффициентом. При этом надо иметь в виду, что он не является постоянным и сам изменяется с температурой, вследствие чего должен определяться в ограниченном интервале температур. В случае необходимости можно определять температурное изменение параметров по отношению к их величине при нормальной температуре, что является достаточной температурной характеристикой. [45]
Страницы: 1 2 3 4