Температурное изменение - параметр
Cтраница 4
 |
Передлточная характеристика диодной оптопары. [46] |
Значение коэффициента передачи по току А / диодной оптопары легко увеличить, введя в выходную цепь интегральный ус. Основная трудность заключается прежде всего в узком диапазоне линейности передаточной характеристики и степени этой линейности. При малых входных токах ( / вх / вх тшп) излучательная способность СИД еще не достигает номинального уровня. При больших входных токах ( / вх / вхта: с) начинает сказываться разогрев структуры и, как следствие, температурное изменение параметров. [47]
Напряжение контрольной частоты выделяется с выхода линейного усилителя двухрезонансным фильтром, усиливается трехкаскадпым усилителем и выпрямляется детектором. ЭУР включен в переменный выравниватель Боде ПВ. Характерной особенностью схемы является отсутствие релейных элементов, непрерывность процесса регулирования, причем ток управления, а следовательно, и скорость регулирования снижается по мере уменьшения разбаланса системы. Этим исключается влияние скачков сопротивления при включении тока управления ЭУР. Для компенсации температурных изменений параметров детектирующего диода в цепи опорного тока включен однотипный диод VI. [48]
Следует назвать еще ряд требований к параметрам мощных транзисторов, не являющихся специфичными для этого класса приборов, а общих для различных типов транзисторов. Такая слабая зависимость желательна со многих точек зрения. Прежде всего она важна в тех случаях, когда от устройства требуется быстрая готовность к действию. Малые температурные изменения параметров важны для схем, работающих в широком диапазоне температур. В противном случае в схеме, которую надо рассчитывать на худшие значения параметров при крайних температурах, не смогут быть достаточно полно использованы характеристики транзисторов. [49]
Проектирование и расчет является одним из изданий серии Проектирование и расчет радиоэлектронных схем с полупроводниковыми приборами, выпускаемой издательством Советское радио. Настоящая книга, как и все книги данной серии, имеет целью изложение методов проектирования и расчета типовых устройств на полупроводниковых приборах. Широкое распространение полупроводниковых приборов в самых различных областях техники, разнообразие их свойств, ряд специфических особенностей обусловили появление множества практических схем, различных методов проектирования и расчета схем. Возникла острая необходимость в широком внедрении таких методов расчета и проектирования транзисторных схем, которые обеспечивают воспроизводимость устройств в условиях массового производства, минимальные габариты и максимальную экономичность транзисторных усилителей. Современное состояние этого вопроса таково, что технологический разброс и температурные изменения параметров транзисторов не являются препятствием для построения усилителей и преобразователей с линейными, стабильными и воспроизводимыми характеристиками. Применение рациональных методов построения и расчета схем позволяет почти полностью исключить необходимость экспериментальной доводки устройств. [50]
Страницы: 1 2 3 4