Cтраница 1
![]() |
Плоскоквадратный комплекс с одинаковыми лигандами N ( а и с лигандом Т, оказывающим граяс-влияние на лиганд L ( б.| Ослабление я-связывания металл - лиганд L вследствие транс. [1] |
Поляризационная теория подтверждается следующими фактами. Гранс-влияние обнаруживается в заметной степени для больших по размерам поляризуемых центральных атомов. Приведенный выше ряд транс-влияния является одновременно и рядом поляризующей способности лигандов. [2]
Поляризационная теория сорбции занимает как бы промежуточное положение между теориями, основанными на адсорбционных представлениях, и теориями, в основ которых лежит абсорбционный механизм поглощения воды целлюлозой. [3]
Описанная поляризационная теория колебания типа шепчущей галереи содержит два параметра: размер зеркала ku и выраженное в числе полуволн Л расстояние между зеркалами. Минимальными потерями обладают колебания с ft 1, причем чем больше размер зеркала kfl, тем меньше дифракционные потери. [4]
Согласно поляризационной теории трансвлияния, комплексообразователь полязирует лиганды и создает в них индуцированные диполи. Когда ядро комплекса окружено одинаковыми лигандами, оно находится в симметричном поле и все индуцированные диполи компенсируют друг друга. [5]
![]() |
Обоснование трансвлияния с точки зрения поляризационных представлений. [6] |
Согласно поляризационной теории трансвлияния комплексооб-разователь поляризует лиганды и создает в них индуцированные диполи. Когда ядро комплекса окружено одинаковыми лигандами, оно находится в симметричном поле и все индуцированные диполи компенсируют друг друга. При замещении лиганда на более отрицательную или более легко поляризуемую группу симметрия поля вокруг комплексообразователя нарушается и в нем индуцируется некомпенсируемый диполь. Так, первоначальный заряд на Pt2 индуцирует диполь на лиганде L, который в свою очередь поляризует ион металла. А поляризация электронной системы комплексообразователя ведет к отталкиванию отрицательного заряда на лиганде X. Следовательно, связь Pt-X ослабляется и удлиняется. Таким образом, в поляризационной модели трансвлияние сводится к сравнению прочности связей между комплексообразователем и лигандами. [7]
Согласно поляризационной теории трансвлияния, комплексообразователь полязирует лиганды и создает в них индуцированные диполи. Когда ядро комплекса окружено одинаковыми лигандами, оно находится в симметричном поле и все индуцированные диполи компенсируют друг друга. [8]
![]() |
Распределение токов на зеркалах для колебаний шепчущей галереи. [9] |
Построенная здесь поляризационная теория колебаний типа шепчущей галереи содержит два параметра: размер зеркала ka и выраженное в числе полуволн q расстояние между зеркалами. [10]
В поляризационной теории е ( х) значительно выше соответствующей энергии дисперсионного взаимодействия. [11]
Как по поляризационной теории, так и по теории полимолекулярной адсорбции силы, вызывающие адсорбцию, имеют малые сферы действия. В то время как потенциальная теория ( в ее первоначальном полимолекулярном варианте) предполагала, что адсорбционные силы проявляются на достаточно далеких расстояниях от поверхности адсорбента, теории, рассматриваемые в этой главе, предполагают, что только первый адсорбционный слой прочно связан с поверхностью. Второй адсорбционный слой адсорбирован не поверхностью адсорбента, а первым адсорбционным слоем, и адсорбция таким образом распространяется от слоя к слою. Эти две теории отличаются друг от друга тем, что приписывают различную природу силам, вызывающим адсорбцию. Эти силы будут подробно рассмотрены в гл. [12]
![]() |
Искривление орбит электронов при взаимодействии иона А с молекулами диполей X ( представления на основе поляризационной теории. [13] |
Последовательное проведение принципов поляризационной теории неизбежно ведет к отрицанию теории Косселя и признанию теории Льюиса. Приближение ди-польных молекул X к иону А способствует, как это показано на рисунке, искривлению круговых орбит электронов и образованию устойчивого октета электронов. Такое удаление электронов от атома должно привести к стабилизации высших валентных состояний центрального атома. На самом же деле это последнее правило оправдывается далеко не всегда и известно немало случаев, когда наблюдается увеличение устойчивости низших состояний окисления. [14]
![]() |
Распределение зарядов в индуцированном диполе по диагонали L - Pt - X транс - PtA2LX. [15] |