Электронная теплоемкость

Cтраница 2

Утверждение о несущественности электронной теплоемкости справедливо лишь для высоких температур. [16]

Плоское сечение кристалла. изолинии электронной плотности ( аналогично - потенциала выделяют ионные остовы. [17]

При рассмотрении вклада электронной теплоемкости помимо температуры следует учитывать также плотность электронных состояний. В переходных металлах на широкую ( 5 - р) - зону, обладающую малой плотностью, накладывается узкая d - зо-на с большой плотностью состояний. Это обстоятельство может объяснить высокие значения теплоемкости переходных металлов, превышающие 6 кал / град-атом. Так, атомная теплоемкость-железа при 300 С возрастает до 7 82, а при 600 С - до 10 53 кал / град-атом. [18]

Данные о коэффициентах электронной теплоемкости у карбидов и нитридов уже приводились в табл. 29 ( гл. Были проведены исследования зависимостей у от состава, дефектности и типа кристаллической структуры. Поскольку у пропорционален плотности электронных состояний на уровне Ферми, то его исследования в совокупности с измерениями магнитной восприимчивости, коэффициента Холла и других параметров помогают понять особенности электронной структуры карбидов и нитридов. Именно эти измерения послужили основой при формулировании модели жесткой полосы для электронной зонной структуры тугоплавких карбидов и нитридов, а также предположения о том, что изменения свойств их можно объяснить смещением уровня Ферми при заполнении полос в соответствии с квэ или каким-то иным параметром. [19]

Сравнение формулы Дебая с опытными данными для Ag ( /, алмаза ( 2, NaCl ( 3 и CaF2 ( 4. [20]

Значения, обусловленные электронной теплоемкостью ( см. ниже), вычтены из экспериментальных данных. Мы видим, что имеется значительное отклонение кривых 00 ( Г) от прямой, параллельной оси Т, которая должна была бы получиться по теории Дебая. [21]

С у Т - электронная теплоемкость, о - скорость электронов энергии Ферми ( здесь предполагается изотропность), а / - эт - эффективный средний свободный пробег электронов. [22]

И. чотермы теплоемкости карбида ванадия. [23]

Литературные сведения о коэффициенте электронной теплоемкости у Для карбида ванадия отсутствуют. [24]

Наблюдаемые значения CV / T ( Дж-град - 2-моль - 1 как функция Г2 для сплава железа с хромом. [25]

Здесь первый член выражает электронную теплоемкость, а второй - теплоемкость по Дебаю, причем а пропорционально 6 - 3 ( разд. [26]

Изменение топологии поверхности Ферми при электронном топологическом переходе. а - появление новых полостей. 6 - разрыв перемычки. Количество и расположение перемычек и новых полостей определяется симметрией кристалла. так, на а показан случай кубического кристалла-6 полостей ( изображена проекция яа одну из плоскостей симметрии.| Зависимость дифференциальной термоэдс а / Т сплава Li - Mg or концентрации Mg при различных температурах Т.. 4 2 К. 2 78 К. 3 300 К. При концентрации Mg ок. 20 атомных % происходит электронный топологический переход типа разрыва перемычки. [27]

При Г0 К в идеальном кристалле электронная теплоемкость С, ( точнее, отношение Cj / 7) и сжимаемость дР / дУ ( Р - электронное давление) имеют сингулярные добавки, отличные от нуля с одной стороны от точки перехода и зависящие от дробной степени 2, а добавка к коэф. При TQ К или в неидеальном кристалле эти особенности размываются, изломы в теплоемкости и сжимаемости сглаживаются, а бесконечный скачок в коэф. [28]

Следовательно, при достаточно низких температурах электронная теплоемкость должна превысить теплоемкость кристаллической решетки. [29]

Как показано в книге [6], электронная теплоемкость любого вещества должна стремиться к нулю при Г - - оо, если при расчете электронной статистической суммы учитывается конечное число уровней. [30]

Страницы: 1 2 3 4