Термостабилизация

Cтраница 2

Для термостабилизации сополимеров и полимеров акрилонит-рила применяют диалкилдитиофосфаты цинка [481 ] и их смеси с сульфоксилатами металлов ( см. гл. [16]

Для термостабилизации ПВХ предлагаются добавки углеводов ( целлюлозы, крахмала, сахара или продуктов их превращения), например 5 вес. Все эти способы стабилизации описаны в старых патентах и не представляют никакого практического интереса. [17]

Для термостабилизации пленки, подвергающейся радиационному окислению, в йее вводят специальные антиокислители и стабилизирующие добавки. В качестве клейкого подслоя используют бутилкаучук, модифицированный серой и тиураном, что приводит к структурированию и снижению текучести БК-подслоя. [18]

Для термостабилизации частоты генератора задающий генератор помещают в термостат, внутри которого поддерживается постоянная температура; удаляют лампы от контуров и других деталей схемы; применяют открытый монтаж схем, обеспечивающий хорошую вентиляцию, и особые приборы - термокомпрессоры, а также термостабильные элементы. [19]

Практически термостабилизация рабочей точки тремя резисторами ( рис. 2.1) получается удовлетворительной, если, выбирают ток потенциометра R2 - з больше тока базы в рабочей точке в 5 - 10 раз, а сопротивление 2 - в 5 - 10 раз больше входного сопротивления каскада. [20]

Для термостабилизации выходных транзисторов и их защиты от перегрузки в качестве сопротивлений R10 и R11, равных 0 5 - 1 Ом, применяют плавкие предохранители на ток порядка 1 А. [21]

По термостабилизации эфиров целлюлозы имеется очень мало литературных данных. [22]

Схема выходного делителя термозависимого стабилизатора напряжения. [23]

Для термостабилизации варисторных стабилизаторов напряжения необходимо компенсировать изменение параметров нелинейных резисторов, вызванное изменением температуры. Температурную компенсацию полупроводниковых варисто-ров можно осуществить с помощью компенсирующих цепочек, включаемых как часть линейных сопротивлений стабилизаторов, схемы которых приведены в гл. [24]

Для термостабилизации ряда типов транзисторов необходимо, чтобы сопротивление низкоомного плеча в делителе базового смещения уменьшалось в 6 - 10 раз в интервале температур от 293 до 333 К. [25]

Цепи термостабилизации рассчитывают теми же методами, что и в транзисторных усилителях высокой частоты. [26]

Зависимость / г-параметров. [27]

Сущность термостабилизации заключается в том, что в схему вводят отрицательную обратную связь по постоянному току ( последовательную) или по напряжению ( параллельную), которая вызывает изменение выходного тока транзистора, обратное по знаку изменению тока, вызванного изменением температуры. [28]

Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [29]

Схемы термостабилизации позволяют ослабить влияние температуры на режим работы транзистора, схемы термокомпенсации в некотором диапазоне температур дают возможность полностью компенсировать влияние температуры на параметры и характеристики транзистора. [30]

Страницы: 1 2 3 4