Термостабилизация

Cтраница 4

Смесь применяется для термостабилизации гомо - и сополимеров винилхлорида, винилиденхлорида и винилфторида. [46]

Отформованные гранулы подвергают термостабилизации в зоне температур 140 - 190 С. [47]

В нем осуществлена полная термостабилизация. [48]

Установлено, что термостабилизация полиамидных волокон может быть осуществлена в процессе их крашения антрахиноновыми красителями, обладающими реакционноспособными группами, взаимодействующими с концевыми группами NHa или СООН. Чем массивнее присоединившаяся группа, тем сильнее оказывается стабилизирующий эффект. [49]

Эквивалентная схема усилителя, J. [50]

В настоящем устройстве термостабилизация тока покоя оконечных транзисторов происходит следующим образом. При повышении температуры возрастает ток Т1, при этом отрицательный потенциал точки Ci понижается. Это сопровождается уменьшением токов тран-1 зистора Т2 и, следовательно, понижением напряжения смещения UBS, что и требуется для постоянства тока покоя транзисторов оконечного каскада Т3 и Т, работающих в режиме В. [51]

Схемы измерительных эле. [52]

Для повышения точности термостабилизации в широком диапазоне температур необходимо создавать одинаковые температурные условия для стабилитронов, транзистора усилительного каскада и компенсирующих элементов. [53]

Другой вариант метода термостабилизации, также основанный на использовании реакции межцепного обмена, заключается в обработке уже готового гомополимера низкомолекулярными агентами передачи цепи в присутствии катализаторов. [54]

Тимофеева, Способ термостабилизации пленок из триацетата целлюлозы, авт. [55]

Схемы включения позисторов для термостабилнзации транзисторных каскадов и требуемые температурные характеристики стабилизирующих элементов. 72. [56]

Наиболее простая схема термостабилизации транзисторного каскада, в которой позистор включен в цепь базового делителя для получения термозависимого смещения, показана на рис. 38 а. На рис. 38 6 показана требуемая температурная зависимость сопротивления в цепи делителя базового смещения. Следует иметь в виду, что требуемая температурная зависимость сопротивления не всегда соответствует температурной характеристике определенного типа позистора, и поэтому необходима коррекция характеристик позисторов. [57]

При развитии принципа структурно-химической термостабилизации кристаллизующихся полимеров авторы исходили из того, что существование надмолекулярных структур в полимере, их характерные особенности, несомненно, определяют в значительной мере глубину протекания процесса термоокисления и что при прочих равных условиях наличие крупных, хорошо сформированных надмолекулярных образований, для разрушения которых необходимы более высокие температуры и более длительное время, должно способствовать увеличению термостабильности полимера, повышению его работоспособности при повышенных температурах. [58]

Термокомпенсированные транзисторные каскады с высоким входным сопротивлением. [59]

Недостатком рассмотренных схем термостабилизации режима транзисторного каскада является значительное увеличение потерь сигнала на входе в области повышенных температур за счет шунтирующего влияния терморезистора и уменьшение входного сопротивления каскада. В таком каскаде потери по переменному току в области высоких температур могут быть значительно снижены, но при этом увеличивается расход питания и несколько ухудшаются условия работы каскада в области отрицательных температур. [60]

Страницы: 1 2 3 4