Технология - изготовление - интегральная схема
Cтраница 1
Технология изготовления интегральных схем, позволяющая объединять в одном кристалле более 100 тыс. транзисторов. [1]
Разработана технология изготовления интегральных схем, позволяющая размещать на 1 см2 поверхности пластинки, вырезанной из монокристалла кремния, десятки тысяч транзисторов и сопротивлений, связанных друг с другом в единую схему. [2]
 |
Буферный элемент без инверсии ( а. действие буферного элемента без инверсии. [3] |
Поскольку технология изготовления интегральных схем хорошо подходит для производства микросхем с внутренней структурой повторяемой плоской поверхности, микросхемы памяти являются идеальным применением для этого. С появлением больших микросхем маленькие микросхемы не всегда устаревают из-за компромиссов между преимуществами емкости, скорости, мощности, цены и сопряжения. Обычно самые большие современные микросхемы пользуются огромным спросом и, следовательно, стоят гораздо дороже за 1 бит, чем микросхемы небольшого размера. [4]
Разработана технология изготовления интегральных схем, позволяющая размещать на 1 см2 поверхности пластинки, вырезанной из монокристалла кремния, десятки тысяч транзисторов и сопротивлений, связанных друг с другом в единую схему. [5]
 |
Схемы диодного включения интегрального транзистора с диэлектрической изоляцией. [6] |
В зависимости от конструкции и технологии изготовления интегральной схемы различают бескорпусные диоды и диодные сборки, применяемые в гибридных интегральных схемах, и диоды, используемые в полупроводниковых интегральных схемах. [7]
Описаны планар-ная, эпитаксиальная, электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем, а также методы изоляции, герметизации и конструктивного оформления таких схем. Рассмотрены физические явления, которые в ближайшее время могут найти применение в полупроводниковой электронике. [8]
Как следует из рассмотрения обоих видов технологии изготовления интегральных схем, полупроводниковые интегральные схемы являются наиболее подходящими для выполнения законченных функциональных устройств, в то время как тонкопленочные схемы в основном служат для функционального объединения пассивных электронных элементов. Однако эти различия не разделяют, а скорее дополняют оба эти направления микроэлектроники, так как полупроводниковые схемы могут хорошо сочетаться со схемой, выполненной на основе пленочных элементов и соединений. Гибридные пленочные схемы с навесными полупроводниковыми блоками в настоящее время конкурируют с твердыми интегральными схемами, обладая такими же широкими возможностями в отношении надежности, плотности упаковки, рабочих характеристик и др. Решающим фактором здесь пока является стоимость изготовления. [9]
Как следует из рассмотрения обоих видов технологии изготовления интегральных схем, твердые интегральные схемы являются наиболее подходящими для выполнения законченных функциональных устройств, в то время как тонкоиленочные схемы в основном служат для функционального объединения пассивных электронных элементов. Однако эти различия не разделяют, а скорее дополняют оба эти направления микроэлектроники, так как полупроводниковые схемы могут хорошо сочетаться со схемой, выполненной на основе пленочных элементов и соединений. [10]
Технология формирования тонкопленочного транзистора очень сходна с технологией изготовления интегральной схемы. [11]
 |
Зависимость толщины d стеклообразных пленок Ge25Se75 т времени травления т в водном растворе NH3. [12] |
В ряде случаев халькогениды мышьяка не применимы в технологии изготовления интегральных схем, так как мышьяк является хорошей донорной примесью для кремния. [13]
Этот процесс с практической точки зрения представляет особый интерес для технологии изготовления интегральных схем. [14]
В интегральных схемах этот вопрос решается значительно проще, тем более, что технология изготовления интегральных схем позволяет использовать поверхности эмиттеров и коллекторов одновременно для целой группы транзисторов. [15]
Страницы: 1 2 3