Технология - изготовление - интегральная схема
Cтраница 2
Достоинством инвертора, изображенного на рис. 4.2, г, является его простота, хорошая приспособленность к технологии изготовления интегральных схем, форсирование процесса запирания, обеспечивающее повышение быстродействия. [16]
Поскольку существует много различных типов логических схем, целесообразность использования того или иного типа необходимо увязывать со спецификой технологии изготовления интегральных схем, хотя в принципе в интегральной форме можно изготовить большинство из этих типов. [17]
 |
Пленарный п-р-я-транзистор. [18] |
На рис. 4.10 показана структура планарного п - р - п-транзистора который может быть выполнен как с изолирующими р - га-переходами, так и с диэлектрической изоляцией. Технология изготовления интегральных схем, в том числе входящих в их состав транзисторов, подробно описана в специальной литературе. Кратко одна из возможных технологий состоит в следующем. На поверхность сильнолегированного п-кремния наносится эпитаксиальный слой слаболегированного га-кремния. [19]
За столь большие времена примеси успевают продиффундировать в глубь образца на расстояние до 1 - 2 мкм. Однако технология изготовления интегральных схем требует ограничения толщины легированного слоя на уровне 0 1 мкм. ТО широкополосными некогерентпыми источниками излучения отвечают этим требованиям. [20]
Фоторезисты применяют в полупроводниковой электронике, в том числе в процессе фотолитографии. Это наиболее ответственный процесс в технологии изготовления интегральных схем, от которого зависит их качество и который существенно влияет на их стоимость. Традиционно для этой цели используют чувствительные к действию излучения полимеры. В зависимости от того, как воздействует на фоторезист излучение ( ультрафиолетовое, рентгеновское, электронный луч), различают позитивные и негативные фоторезисты. [21]
В книге рассмотрены методы изготовления интегральных схем, вопросы разработки приборов на эффекте Ганна, возможности использования гетеропереходов и пленочной технологии. Описаны планарная, эпитаксиальная и электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем. Дан анализ новых физических явлений, которые все шире используются в современной полупроводниковой электронике. [22]
Надежность системы зависит от двух факторов: от качества элементов, использованных для ее построения, и от методов проектирования. Элементы здесь могут выступать в разной форме, например в форме технологии изготовления примененных интегральных схем, в форме подсистемы цифрового входа или устройства ввода-вывода. Надежность системы, будучи в принципе очень высокой, может быть сильно снижена из-за плохого устройства ввода-вывода, если это устройство необходимо для обеспечения эффективного управления. [23]
Маломощные и микромощные тиристоры являются весьма перспективными с точки зрения применения их в цепях управления силовыми тиристорами, а также в устройствах автоматики и вычислительной техники. Существенным преимуществом тиристоров по сравнению с другими приборами, имеющими отрицательное сопротивление ( туннельные диоды, двухбазовые диоды и др.), является то, что технология их изготовления совместима с технологией изготовления интегральных схем, которые выполняются планарным и эпи-таксиально-планарным методами путем двойной и тройной диффузии примесей. [24]
Известные недостатки этих усилителей ( см. § 4.6) в интегральных схемах Могут быть, существенно уменьшены за счет снижения температурного разброса характеристик транзисторов. Технология изготовления интегральных схем позволяет получить пару практически идентичных по параметрам транзисторов, а близкое расположение в блоке ставит их в равные температурные условия. [25]
Заметим, что, изменяя типы логической схемы И или ИЛИ, схемы цепей связи и способы соединения электродов полупроводниковых элементов, можно получить большое количество вариантов схемы элементов. Однако далеко не все из возможных вариантов схем оказались практически целесообразными и получили распространение. Это обусловлено рядом причин и, в первую очередь, возможностями технологии изготовления микроминиатюрных интегральных схем. [26]
 |
Распределение концентрации. [27] |
Приведенные результаты расчета распределения концентрации примесных атомов для двустадийных диффузионных процессов позволяют заключить, что при формирований базовых областей большинства эпитаксиально-планарных транзисторов интегральных схем диффузия идет из ограниченного источника. Это непосредственно следует из соотношения длительностей и коэффициентов диффузии, характеризующих процессы загонки и разгонки. Однако заметим, что формулы, описывающие распределение диффундирующих атомов примеси, были получены в предположении, что диффузионный процесс осуществляется из источника, содержащего примеси в элементарном состоянии. В технологии изготовления серийных интегральных схем донорные и акцепторные примеси, как правило, диффундируют соответственно из химических соединений фосфора и бора, причем одновременно с процессами диффузии на обеих стадиях происходит окисление поверхности кремниевой пластины. [28]
 |
ЗЭ на многоэмиттерных и А / ДД-тран-зисторах. [29] |
Применение электронных схем с высокой степенью интеграции, имеющих не менее 1000 компонентов на кристалле, позволяет значительно уменьшить габариты, массу, потребляемую мощность, увеличив при этом быстродействие, надежность и функциональную гибкость ЗУ. С точки зрения технологии изготовления интегральных схем, накопители ЗУ как с В -, так и с М - по-иском представляют идеальную однородную структуру, пригодную для реализации в виде больших интегральных схем с высокой степенью интеграции. В качестве основных компонент в таких накопителях используют как биполярные, так и транзисторы с МДП-структурой. [30]
Страницы: 1 2 3