Технология - интегральная схема
Cтраница 1
Технология интегральных схем ( ИС) позволила получать логические схемы, содержащие от двух до нескольких сот вентилей на одной полупроводниковой подложке. Однако доступ к этим вентилем с целью контроля, очевидно, ограничен первичными входами и выходами схемы. Кроме того, все логические ошибки, допущенные при проектировании таких схем, должны быть устранены прежде, чем начнется массовое производство ИС, так как стоимость коррекции ошибки конструкции после начала массового производства может оказаться очень высокой. [1]
Технология интегральных схем широко использует явления диффузии в твердой среде для создания слоев с определенными градиентами концентраций электрически активных примесей в полупроводниковом кристалле. [2]
Поскольку технология интегральных схем постоянно совершенствуется, то в этой категории становится все больше и больше элементов. [3]
Преимущество технологии интегральных схем в том, что их компоненты получаются в едином технологическом цикле и, следовательно, с идентичными характеристиками. [4]
Применение эпитаксии в технологии интегральных схем более чем в десять раз увеличило выход годной продукции, значительно сократило время технологического процесса и улучшило экономические показатели. [5]
Рассматриваются вопросы проектирования и технологии интегральных схем л их надежности. Приводятся методы испытания на надежность, анализ отказов. [6]
В отдельных приборах, изготовляемых по технологии интегральных схем, стекло защищает р - - переходы и контактные площадки от механических воздействий и повреждений при автоматической сборке модулей. В монолитных интегральных схе - мах стекло может быть использовано для герметизации как материал корпуса и для создания многослойного монтажа. Стекло между слоями изолирует проводники друг от друга. [7]
АЦП и ЦАП также изготовляются методом технологии интегральных схем. Проводятся работы, направленные на создание микро - ЭВМ, у которых объединены в одном кристалле процессорные блоки, память, блоки ввода-вывода, АЦП и ЦАП. [8]
 |
Организация ПЗУ с числовой выборкой.| Организация ПЗУ с поразрядной выборкой. [9] |
Практически реализация таких устройств стала возможной с развитием технологии интегральных схем на уровне БИС. [10]
Ношм направлением микроэлектронного приборостроения является сенсоэлектроника, использующая технологию интегральных схем, где особое место занимает создание интегральных полупроводников датчиков на основе пленок двуокиси олова, ниобия и цинка, позволяющих контролировать содержание кислорода. Важнейшей отличительной чертой полупроводников является экспоненциальное увеличение их электрической проводимости при увеличении температуры, а также высокая чувствительность электропроводности к примесям, содержащимся в образце. [11]
Для повышения быстродействия цифровых частотомеров низких частот в связи с успехами технологии интегральных схем и применением микропроцессоров, встраиваемых в цифровые приборы, в настоящее время применяют способ измерения частоты по длительности одного или нескольких периодов Тх. По числовому значению NTX при помощи встроенного микропроцессора определяется искомое числовое значение измеряемой частоты Nfx. При этом погрешность измерения частоты определяется погрешностью измерения периода Тх - Для уменьшения этой погрешности обычно производят измерение интервала пТх, при этом такой способ при малых Т0 становится целесообразным и для относительно высоких частот. [12]
Таким образом, прин цип, чем проще схема, тем легче ее изготовить, неприменим к технологии интегральных схем. [13]
Наряду с развитием техники программного обеспечения баз данных в будущем важным является исследование аппаратного обеспечения баз данных на основе активного применения технологии интегральных схем. [14]
Схема ( рис. 87), описанная в работе [43], свободна от этого недостатка и может быть почти полностью выполнена по технологии интегральных схем. С приходом сигнала переноса ( скачок напряжения от 0 до - 6 в) открывается эмиттерный повторитель Г4 и транзистор Ть насыщается. Последний, работающий в режиме усиления, может реагировать на сигналы, поступающие от триггера регистра, так как его эмиттер включен теперь с помощью транзистора Т1 на землю. Та открывается, а падение напряжения. Усилитель сигнала опроса ( Г, Г5) и цепь С д являются общими для всего регистра и могут быть смонтированы отдельно, а узлы, включающие триггер памяти и транзистор Т3, выполняются по числу триггеров в регистре. [15]
Страницы: 1 2 3