Cтраница 3
Из функциональных узлов и отдельных элементов собираются блоки разного назначения. Следует подчеркнуть, что в иерархической лестнице средств автоматизации четкая граница между элементами, узлами и блоками не только отсутствует, но все время смещается. По мере совершенствования технологии интегральных схем, повышения уровня интеграции появляются возможности реализации функциональных узлов и даже блоков в виде отдельных кристаллов, отдельных блочков, которые являются уже первичными элементами - кирпичиками для построения более сложных устройств. [31]
Вычислительная техника играет центральную роль в практическом воплощении подавляющего большинства теоретических методов точного определения электронной структуры молекулярных систем, которые рассматривались в данной монографии. Действительно, взгляды на проведение точных квантовомеханических расчетов молекул радикально переменились в начале 1950 - х годов с изобретением цифровых ЭВМ. Проблема эффективного использования потенциально безграничных вычислительных возможностей, обусловленных быстрым и непрерывным развитием технологии интегральных схем в направлении создания небольших все усложняющихся элементарных устройств, приобретает все более важную роль в вычислительной физике атомов и молекул. В этом заключительном разделе мы кратко остановимся на предполагаемых направлениях развития вычислительных аспектов молекулярной физики. [32]
С тех пор прошло более десяти лет. Мы можем с уверенностью отметить, что областями, развитие которых было резко ускорено благодаря проектам НАСА, являются только технология интегральных схем, спутниковая связь и спутниковая метеорология. И все же, хотя в конце 60 - х годов в производстве интегральных схем Япония далеко отставала от Соединенных Штатов, после появления больших интегральных схем она быстро вырвалась вперед. Разработка больших интегральных схем в Японии была продиктована исключительно гражданскими потребностями - производством электронного калькулятора, ставшего для этих схем трамплином, что быстро ликвидировало технологический разрыв между Японией и США. [33]
Период зрелости, начинающийся с 1981 г. Появляются коммерческие системы баз данных на основе реляционных моделей. Парадигма идет по пути изменений. Идут успешные работы в области нового аппаратного обеспечения для баз данных, связанные с расширением областей применения баз данных в технике и развитием технологии интегральных схем. [34]
В качестве чувствительных элементов ИИС используются разные по своей физической природе датчики. С помощью полупроводниковых приборов можно преобразовать практически все известные виды энергии. К преимуществам таких преобразователей относятся использование технологии интегральных схем при изготовлении полупроводниковых чувствительных элементов, высокая надежность и долговременная стабильность их параметров. [35]
Существуют операционные усилители трех типов: магнитный усилитель, транзисторный усилитель переменного тока с модуляцией и демодуляцией и транзисторный усилитель постоянного тока с непосредственной связью. В большинстве регуляторов, имеющихся на рынке, используется усилитель второго типа. Этот усилитель очень сложен и дорог в производстве. Усилитель третьего типа проще и надежнее при тех же характеристиках и стоит дешевле. С развитием технологии интегральных схем регулятор третьего типа становится все более выгодным и, вероятно, будет широко использоваться в будущих разработках. [36]
При жидкофазной эпитаксии слой легированного примесями материала из соединений AIIIBV наращивают непосредственно на поверхность арсенид-галлиевой подложки, используя графитовый держатель с отдельными камерами для осаждаемого на пластины материала. Взвешенное количество осаждаемого материала добавляют в верхнюю камеру держателя, а пластины загружают в нижнюю камеру. Графитовый держатель помещают в кварцевую реакционную трубу, через которую пропускают поток водорода. Трубу нагревают, чтобы расплавить осаждаемый материал, и, когда расплав уравновешивается, верхняя камера держателя начинает плавно скользить, чтобы расплав растекался по пластине. Температуру печи понижают для образования эпитаксиаль-ной пленки. Жидкофазная эпитаксия применяется главным образом в технологии микроволновых интегральных схем и при изготовлении светодиодов определенных длин волн. Главная угроза безопасности в процессе жидкофазной эпитаксии связана с применением легко воспламеняющегося газообразного водорода. [37]