Технология - интегральная схема
Cтраница 2
Возможно изготовление рельефно-фазовых ДОЭ с использованием не ионно-химического, а просто химического травления ( травление в растворе), тем более, что именно таким образом получают окна в слое двуокиси кремния в технологии интегральных схем. Однако травление в растворе не обладает избирательностью по направлению, свойственной ионно-химическому травлению, которое происходит преимущественно в направлении распространения ионного пучка. В итоге стенки образующегося рельефа подтравливаются и он принимает трапециевидную форму. Возможно, существуют способы уменьшить подтравливание, но, с другой стороны, ясно, что ионно-химическое травление всегда будет иметь преимущество в этом отношении. Клин травления в ионном пучке тоже возникает за счет постепенного разрушения краев фоторезистив-ной маски, но он значительно меньше, чем при травлении в растворе, и составляет около 0 1 - 0 2 мкм [25], что позволяет изготавливать высокочастотные ДОЭ. [16]
Средний 13-летний цикл обнаруживается в технике телефонной связи, и его сознательно используют при планировании в компании АТТ ( Америкен телефон энд телеграф); ожидается, что полуэлектронная система коммутации образца 1965 г. сменится примерно в 1975 г. технологией интегральных схем. Это интересный пример того, как период создания и запуска в производство новой продукции определяется упреждающей технологией основных компонентов и схем. [17]
Фейгенбаум, 1977 ], медицина ( диагностика и лечение глаукомы) - CASNET [ Вейс и др., 1978 ], финансовые операции - FOLIO [ Кохен и Либерман, 1983 ], геология - DIPMETER ADVISOR [ Смит и Бэкер, 1983 ], вычислительная техника ( технология интегральных схем) - TALIB [ Ким и Макдермотт, 1983 ], анализ и синтез электрических схем - EL [ Сассман, 1977 ], SYN [ Сассман и Стил, 1980 ], генетика - MOLGEN [ Стефик, 1981, а, б ], медицина ( гипертония) - МОДИС [ Бохуаидр. [18]
Технология интегральных схем, в которых используется новый материал, арсенид галлия, определяется возможностями управления реакциями, идущими на поверхности этого материала. Те, кто занимается разработкой крохотных чипов для компьютеров, понимают, какую важную роль играет здесь химия. Эти чипы битком набиты электрическими цепями. Методы химического травления позволяют создавать такие цепи с высокой точностью при микроскопических размерах. [19]
К таким преимуществам относятся использование технологии интегральных схем при изготовлении полупроводниковых чувствительных элементов ( ПЧЭ), высокая чувствительность надежность и долговременная стабильность параметров III. Использование такого датчика приводит к частичной самокомпенсации температурной погрешности, в частности, уменьшению аддитивной составляющей температурной погрешности за счет соединения тензорезисторов в замкнутый мост. Уменьшение мультипликативной составляющей температурной погрешности достигается за счет оптимальной степени легирования кремния и питания тензомоста от источника тока. [20]
Успехи в развитии электроники, и в особенности микроэлектроники, лежат в основе современной научно-технической революции. Этим фактором обусловливаются стремительность развития техники и технологии интегральных схем, а также быстрый рост основного параметра, характеризующего технический уровень интегральных схем, - степени интеграции. [21]
Главы 4 - 7 посвящены контактному экспонированию: от процессов формирования пленок фоторезистов и до оценки предельных возможностей метода. Здесь же рассмотрены конкретные вопросы фотолитографии в технологии интегральных схем и тонкопленочной технологии. [22]
Принципиально новые решения в области электронных систем оказались возможны только после появления на рынке более совершенных средств ВТ и передачи данных. В свою очередь принципиально новые решения в схемотехнике и технологии интегральных схем возможны только после появления принципиально новых полупроводниковых приборов. [23]
Термодинамика как раздел математической физики, в основе которого1 лежат два закона ( первый и второй законы термодинамики), изучает равновесие и направление самопроизвольно протекающих процессов в системах взаимодействующих макроскопических тел. Вследствие того что свойства систем и характер физико-химических процессов в технологии интегральных схем определяются взаимодействием больших ансамблей атомов ( или молекул), термодинамика является одной из основополагающих наук, используемых при исследовании технологических процессов. [24]
 |
Пример распределения напряже-ний при использовании схемы сдвига уровня на резисторах У. и R - g. [25] |
В отличие от делителя со стабилитроном или диодами, данное устройство потребляет небольшой постоянный ток ( ток 1вг) и обладает высоким входным сопротивлением; и то и другое позволяет получить большой коэффициент усиления у первого каскада; чему способствуют возможность выбора сравнительно большой величины сопротивления резистора Rci и незначительное ослабление сигнала этим делителем. Наличие большого чиела элементов не играет существенной роли, если усилитель выполняется по технологии интегральных схем; в этом случае наличие соединений между коллекторами транзисторов Т2 и - структур с общей коллекторной областью, требующих меньшей площади на кристалле. [26]
В импульсных ИС выходными сигналами являются импульсы напряжения или тока. Импульсные ИС практически не применяются из-за плохой совместимости используемых в них импульсных трансформаторов с технологией интегральных схем. [27]
 |
Избирательные усилители с LC параллельным резонансным ион-туром. [28] |
Гц, на которых они обеспечивают получение высокой избирательности, стабильности, дают возможность легко перестраивать рабочую частоту усилителя, имеют довольно малые габариты. Из-за невозможности изготовления индуктивностей в интегральном исполнении в этом диапазоне частот используют другие частотно-зависимые элементы, технология изготовления которых близка к технологии интегральных схем. [29]
Электронно-лучевая сварка производится только в вакууме, поэтому необходимо принимать специальные меры при работе с материалами, у которых велики газовыделение или упругость пара. Хотя первоначальные затраты на аппаратуру здесь велики, а процесс можно проводить только в вакууме, можно рассчитывать на широкое применение метода электронно-лучевой сварки в технологии интегральных схем благодаря существенным его достоинствам: нет необходимости в физическом контакте со свариваемыми деталями; прецизионный контроль энергии пучка; возможность сваривать широкую номенклатуру материалов. [30]
Страницы: 1 2 3