Гибридная технология

Cтраница 1

Гибридная технология объединяет принципы пла-нарной технологии, с помощью к-рой предварительно формируются микроприборы, я пленочной технологии, средствами к-рой формируются пассивные элементы ( сопротивления, конденсаторы, индуктивности) и сеть внутр. [1]

Гибридная технология ( ГТ), которая использует интегральные и тонкопленочные технологические процессы. В логических элементах, выполненных по ГТ, активные компоненты реализуются на основе кремниевых кристаллов, а для пассивных используются тонкие пленки. [2]

Гибридная технология микроэлектронных устройств развивается и совершенствуется в направлении создания конструкций, обеспечивающих высокую плотность и точность монтажа полупроводниковых БИС и СБИС и хороший тепло-отвод от этих компонентов. Для этих целей используют целый ряд новых матеоиалов, в частности стальные эмалированные подложки в толсто пленочной технологии, алюминиевые подложки с нанесенной на них многоуровневой тонкопленочной коммутацией и полимерной межуровневой изоляцией. Определенные преимущества дает сочетание в одном изделии тонкопленочной и толстопленочной технологии, получившей название дигибридной. [3]

Гибридная технология производства элементов использует интегральные и тонкопленочные технологические процессы. В логических элементах, выполненных по гибридной технологии, активные компоненты могут изготовляться в полупроводниковых областях подложки, а для изготовления пассивных компонентов используются тонкие пленки. [4]

Такая гибридная технология и служит основой для ИКГ-систем. [5]

Достоинства гибридной технологии проявляются при изготовлении прецизионных ИМС. [6]

Наконец, гибридная технология позволяет создавать схемы высокой степени интеграции - большие гибридные интегральные схемы ( БГИСы), которые в отличие от полупроводниковых БИС имеют практически неограниченную степень интеграции. [7]

Следует отметить, что гибридная технология может предусматривать компоновку в корпусе или микромодуле полупроводниковых БИЛС с целью расширения логических возможностей и, в конечном итоге, уменьшения габаритов БМЦУ. Подробно этот подход рассматривается в гл. [8]

Восьмираз - ДюУ 2 рядный преобразова - UytZ 4 тель. двоичного кода в напряжение. [9]

Рассмотренные преобразователи построены по гибридной технологии. По входам ЦАП согласован с ТТЛ микросхемами. [10]

Примерами индикаторов, созданных по гибридной технологии с использованием GaAsP, могут служить индикаторы с полем изображения 50 8x50 8 мм, в которых на керамической подложке расположены 64x64 светодиодных элементов из GaAsP с красным свечением. Сила света этого индикатора при токе 10 мА на элемент составляет 0 3 мкд / элем. [11]

Все шаблоны и применяющиеся в гибридной технологии приспособления, заготовленные для напыления вентиля, межэлементной изоляции и верхнего свинцового слоя ( слоев) вместе с самим испарителем должны помещаться в откачиваемый объем. Это предохраняет оловянные поверхности вентиля от окисления. В случае, если вентили получаются фототравлением, поверхностный окисел, образующийся на воздухе в течение этого процесса, должен быть каким-либо образом снят перед напылением свинца. Водород напускается в испарительную камеру при давлении около 10 - 3 мм рт. ст. При попадании на вольфрамовую нить, нагретую до 1800 С, молекулы водорода диссоциируют. После пятиминутного воздействия атомарного водорода на поверхность вентиля система откачивается и напыляется свинцовая пленка. Через полученный таким образом переход Pb-Sn может протекать весь сверхпроводящий ток. Загрязнение перехода окисью вольфрама не создает дополнительных трудностей. [12]

Жидкая и полужидкая штамповка представляет собой гибридную технологию, сочетающую процессы литья н обработки металлов давлением. [13]

Наряду с полупроводниковой и пленочной развивается гибридная технология, в которой сочетаются тонкопленочные или толстопленочные пассивные элементы с полупроводниковыми активными. [14]

Варианты применения ИМС К284УД2. [15]

Страницы: 1 2 3 4