Cтраница 4
Существует два направления в разработке микросхем повышенного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной технологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектрической подложке. Бескорпусные микросхемы по сравнению с их аналогами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз в по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на многослойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. [46]
Гибридная технология производства элементов использует интегральные и тонкопленочные технологические процессы. В логических элементах, выполненных по гибридной технологии, активные компоненты могут изготовляться в полупроводниковых областях подложки, а для изготовления пассивных компонентов используются тонкие пленки. [47]
При этом выбирают технологию, размеры подложек, схемы соединений. Чаще всего специализированные микросхемы выполняют по гибридной технологии с широким использованием бескорпусных микросхем, транзисторов, диодов, навесных конденсаторов. [48]
Гибридная технология производства элементов использует интегральные и тонкопленочные технологические процессы. В логических элементах, выполненных по гибридной технологии, активные компоненты могут изготовляться в полупроводниковых областях подложки, а для изготовления пассивных компонентов используются тонкие пленки. [49]
Увеличение надежности, кроме конструкторско-технологических доработок, обеспечивается еще и тем, что эти ИВП имеют более высокий КПД, а следовательно, меньшую рассеиваемую мощность и меньший перегрев элементов. В новых конструктивах ИВП стараются применять интегральную гибридную технологию, в особенности в преобразователях постоянного напряжения в постоянное при мощностях не более нескольких десятков ватт, где можно плотно уложить элементы и где реактивности еще не столь велики. Однако сами высоковольтные диоды и транзисторы применяют в дискретном исполнении, что и является еще заметным тормозом в миниатюризации ИВП. Это объясняется тем, что при увеличении частоты от 100 кГц до 1 МГц габариты конденсаторов фильтра могут быть уменьшены в 3 раза, а габариты магнитных компонентов - в 10 раз, это позволит увеличить удельную мощность ИВП до 600 Вт / дм3 при, естественно, улучшенных частотных свойствах силовых МДП-транзисторов. [50]
Сказанное выше стимулирует в настоящее время развитие схем средней степени интеграции, содержащих меньшее, чем в БИС, количество компонентов. Имеется и тенденция изготовления многокристальных БИС на основе гибридной технологии. В настоящее время это представляется легче достижимым и более доступным. [51]
Опыт освоения рукавных фильтров на ТЭС накапливался в США с 60 - х годов. Здесь приведен опыт одной из промышленных проверок в США гибридной технологии золоулавливания, включающей в себя предвключенную ступень электростатической очистки и ступень фильтрации на тканевом фильтре. Эта технология перспективна, но нуждается в дальнейшей проверке и отработке, особенно на ТЭС РФ. [52]
Выходное сопротивление схемы в процессе работы не остается неизменным: когда транзистор VT открыт, это сопротивление мало; в закрытом состоянии транзистора выходное. Поэтому рассмотренный выше вариант схемы ДТЛ в основном применяется при гибридной технологии изготовления, когда необходимо использовать минимальное количество транзисторов. Выходное сопротивление схемы при этом мало и, следовательно, подключение к выходу данной микросхемы нескольких аналогичных микросхем практически бе оказывает шунтирующего действия на выходное сопротивление схемы и почти не влияет на режим ее работы. [53]
Регулятор напряжения работает в комплекте с автомобильными генераторами, образуя совместно с ними генераторную установку. Разновидностью бесконтактных транзисторных регуляторов являются интегральные регуляторы напряжения, выполненные по гибридной технологии. [54]