Гибридная технология

Cтраница 2

Среди многочисленных ОУ, выполненных по гибридной технологии, следует выделить ИМС серии К284 на полевых транзисторах. Так, дифференциальный ОУ на ИМС К284УД1 имеет коэффициент усиления не менее 20 000 и выходное сопротивление более 5 МОм. [16]

Избирательные усилители с КС-фильтрами изготавливают по гибридной технологии с использованием пленочных резисторов, конденсаторов и распределенных КС-структур. [17]

ЦАП с равными разрядными токами и с суммированием их с помощью цепи R, 2R.| ЦАП с применением диодных ключей для коммутации разрядных токов. [18]

При выполнении ЦАП по модульной или гибридной технологии в ряде случаев оказывается целесообразным разрядные токи нескольких старших разрядов увеличивать по сравнению с остальными по закону 2, суммируя их непосредственно на входе ОУ. Это позволяет выбрать более низкоомную матрицу R, 2R, а также значительно уменьшить общее потребление тока. [19]

Уровень интеграции можно существенно повысить, используя гибридную технологию, которая обеспечивает гибкость нужных свойств БИС. [20]

Наибольшим быстродействием обладают операционные усилители, изготовленные по гибридной технологии. Быстродействующие ИОУ наиболее часто используются в аналоговых схемах и аналого-цифровых преобразователях. [21]

Одной из разновидностей ключевых устройств, созданных по гибридной технологии, являются транзисторные модули, которые содержат два и более транзисторов в общем корпусе. В ряде случаев эти транзисторы дополняются диодами. В зависимости от исполнения элементы, расположенные в одном корпусе, могут иметь или не иметь внутренние соединения. [22]

Перспективным является переход на изготовление коммутаторов с применением толстопленочной гибридной технологии. [23]

Паразитная связь через шасси. [24]

Однако там, где это невозможно, применяют гибридную технологию, при которой в пленочную схему вводят дискретную микроминиатюрную катушку. Тонкопленочные схемы обеспечивают меньшие стоимость, габариты, массу и более высокую надежность, чем соответствующие схемы на дискретных компонентах. [25]

Общая тенденция в развитии микроэлектроники такова, что гибридную технологию сейчас интенсивно осваивают как предприятия, изготавливавшие ранее элементы электронной аппаратуры, так и предприятия радиоаппаратостроения. Разработаны и внедрены типовые технологические процессы производства гибридных интегральных схем на основе толстопленочной и тонкопленочной технологий. Дальнейшее совершенствование конструкции и технологии радиоэлектронной аппаратуры связано с применением методов гибридной технологии при создании системы межслоиной изоляции и коммутации, а также монтажа микросборок. Перевод электронных блоков в аппаратуре на БГИС и постепенная замена печатных плат на платы, изготавливаемые методами гибридной технологии, сегодня определяют основное направление работ в области технологии производства радиоэлектронной аппаратуры. [26]

Интегральные элементы с очень малой задержкой можно изготовлять с помощью гибридной технологии, поскольку в этом случае возможно получение минимальных паразитных емкостных связей. Хорошие результаты получаются в интегральных полупроводниковых элементах с диэлектрической изоляцией компонент. [27]

Логические элементы для данного диапазона скоростей могут быть изготовлены методами гибридной технологии и технологии интегральных полупроводниковых схем. [28]

Технологические требования 2а в настоящее время чаще всего сводятся к условиям, выдвигаемым интегральной полупроводниковой и гибридной технологией электронных устройств. Поэтому для низких частот исключается применение катушек индуктивности, рекомендуется строить схемы с непосредственной связью, а в качестве активных элементов применять транзисторы, усилители. [29]

Для изготовления аналоговых ИМС используют различные типовые процессы биполярной и МДП-технологии, а также гибридной технологии. Отечественной промышленностью освоен массовый выпуск целого ряда серий аналоговых полупроводниковых интегральных микросхем ( К140, К. Номенклатура аналоговых БИС постоянно расширяется. Состав серий аналоговых ИМС разрабатывается не на базе основного функционального элемента, а включает в себя широкий класс микросхем различного схемотехнического исполнения, которые в совокупности позволяют реализовать отдельные группы устройств аналогового типа в микроэлектронном исполнении. Например, разработана серия К. [30]

Страницы: 1 2 3 4