Совмещенная технология

Cтраница 2

Микросхемы, изготовленные по совмещенной технологии, имеют ряд преимуществ. [16]

В последнее время нашла применение совмещенная технология, в которой в гибридных микросхемах в качестве навесных компонентов используются бескорпусные полупроводниковые интегральные микросхемы. По такой технологии выполняются микросхемы до шестой степени интеграции для быстродействующих ЭВМ. [17]

Разработанная и внедренная на промыслах совмещенная технология подготовки нефти и очистки пластовых вод в сочетании с преимуществами социалистического способа производства объективно позволила ликвидировать возникший разрыв между объемами добываемой обводненной нефти и производительностью объектов для ее подготовки, снизить удельные капиталовложения и эксплуатационные расходы ниже зарубежного уровня, резко повысить качество товарной нефти, улучшить охрану окружающей среды, повысить производительность труда и обеспечить экономический эффект, исчисляемый сотнями миллионов рублей. [18]

Разновидностью этих технологий является так называемая совмещенная технология, согласно которой активные элементы интегральных микросхем изготовляют по пленарной или планарно-эпитаксиальной технологии в объеме полупроводникового материала, а пассивные - методами тонкопленочной технологии на поверхности кристалла. [19]

На данных предприятиях для производства проводов используется совмещенная технология, когда в единую технологическую цепочку объединены процессы обмотки жилы пленками и их термообработки в целях получения за один проход проводов с монолитной и герметичной изоляцией. Общие производственные мощности по выпуску проводов с использованием современного оборудования на предприятиях России примерно на 30 - 50 % превышают фактическую потребность. Подробно вопросы номенклатуры проводов с изоляцией из полиимидно-фторопластовых пленок, их разработки, характеристики и др. рассмотрены в главе восьмой данной публикации. [20]

Структура гибридной интегральной микросхемы, эквивалентная схема которой показана на рис, 7 1 6. [21]

Полупроводниковая интегральная микросхема может быть изготовлена по совмещенной технологии: активные элементы выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы - на защищенной поверхности монокристалла ( например, окислом) в тонкопленочном исполнении. [22]

Разработанная на этой основе и на этом этапе совмещенная технология транспортирования продукции скважин и сепарации газа позволяет снизить удельные расходы энергий различных видов, а также капвложения на объектах сепарации в 3 72 и более раз, себестоимость процесса - более, чем в 3 раза, решить проблему сепарации высокопенистых нефтей большой вязкости гидродинамическими средствами, увеличив при этом удельную производительность сепараторов в 3 - 6 раз, сократив потери углеводородов до исчезающе малых объемов. [23]

При изготовлении микромощных логических ИМС обычно используют метод совмещенной технологии, рассмотренный ранее. Именно этот метод позволяет получать тонкопленочные резисторы с высоким поверхностным сопротивлением и малые размеры активных элементов. Иногда используют также методы гибридной технологии с тонкопленочными пассивными элементами. [24]

Сечение ЛЩП-конденсатора. [25]

Что такое полупроводниковая интегральная микросхема, изготовленная по совмещенной технологии. [26]

Установлено, что на одной технологической установке термоконденсации методами совмещенных технологий при 370 - 400 С можно получить высококачественный пек преимущественно из высокоароматизированной ТСП. Следует отметить, что с повышением степени конденсации во втором реакторе температуру размягчения пека можно повысить до 100 С. [27]

Структура полупроводниковой интегральной микросхемы, изготовленной по совмещенной технологии. эквивалентная схема ее показана на, б. [28]

Поскольку транзисторы и диоды полупроводниковой интегральной микросхемы, изготовленной по совмещенной технологии, находятся внутри монокристалла - подложки, размеры такой интегральной микросхемы могут быть значительно уменьшены по сравнению с размерами гибридной интегральной микросхемы, в которой используются дискретные активные элементы, занимающие сравнительно много места на подложке. [29]

Изоляционно-укладочные работы при подземной прокладке в песчаных грунтах выполняют по совмещенной технологии, при которой трубопровод покрывают изоляцией и одновременно укладывают в траншею. При этом в условиях сыпучих песков, перемещая трубопровод с бровки на дно траншеи, приходится передвигать его в горизонтальной плоскости на большее расстояние, чем в нормальных условиях. При ширине траншеи 5 - 7 м необходим большой вылет стрелы трубоукладчика, что увеличивает грузовой момент. Следовательно, на изоляции-укладке требуется большее число трубоукладчиков, либо должны использоваться трубоукладчики большой грузоподъемности. [30]

Страницы: 1 2 3 4