Cтраница 3
Утверждение Миннефтепромом 25.11.76 г. унифицированных схем, технологической основой которых является совмещенная технология, дало огромный экономический эффект. [31]
Указанные недостатки полупроводниковых ИМС устранены в монолитных ИМС, изготовленных по совмещенной технологии. Технология изготовления пленочных резисторов и конденсаторов позволяет получить пассивные элементы с большим диапазоном номинальных значений, более высокой температурной стабильностью и меньшими допусками. Поэтому ИМС, изготовленные по совмещенной технологии, сочетают высокую степень интеграции монолитных ИМС с хорошими электрическими параметрами. Однако эти достоинства совмещенных ИМС достигаются за счет увеличения числа технологических операций. Причем при нанесении тонких пленок для формирования резисторов и конденсаторов нарушается единство технологического цикла, поскольку эта операция выполняется обычно в вакууме, тогда как транзисторы формируются в окислительной среде. Увеличение числа технологических операций и их усложнение непременно связаны с удорожанием изделий, а также с уменьшением процента выхода годных ИМС. По этим причинам технология изготовления совмещенных ИМС в основном используется для изготовления цифровых ИМС микроваттного диапазона, где требуются большие номиналы сопротивлений в сочетании с малыми размерами и малыми температурными коэффициентами элементов. [32]
На рис. 5.11 показана схема операционного усилителя цА744, выполненного по совмещенной технологии с диэлектрической изоляцией. [33]
![]() |
Процесс формирования изолирующих р-п переходов.| Образование островков пос-редстном использования изолирующей прослойки. [34] |
Особый тип полупроводниковых интегральных микросхем составляют микросхемы, выполненные по так называемой совмещенной технологии. В этом случае активные элементы изготовляют по планарной или эпитаксиально-планарной технологии в объеме полупроводникового кристалла, а пассивные элементы - методами тонкопленочной технологии на его поверхности. [35]
На основании проводимых экспериментальных исследований доказаны перспективность получения нефтяных пеков с применением совмещенной технологии. [36]
![]() |
Схема укладки изолированного трубопровода [ IMAGE ] Зависимость грузоподъемности Кпр от вылета стрелы. [37] |
Для достижения темпа изоляционно-укладочных работ до 3 км в смену колонна при совмещенной технологии должна иметь 5 трубоукладчиков грузоподъемностью до 90 тс, очистную машину, изоляционную машину, автогудронатор, бульдозер и вагон-домик. Численный состав колонны - 13 человек: 5 машинистов-трубоукладчиков, машинисты очистной и изоляционной машин, их помощника, машинист автогудронатора, бульдозерист, 3 изолировщика. Работа ведется в 2 смены, поэтому общий численный состав колонны - 26 человек. [38]
На основании проводимых экспериментальных исследований доказаны перспективность получения нефтяных пеков с применением совмещенной технологии. [39]
Высокая точность выполнения пленочных, элементов может быть использована при изготовлении микросхем по совмещенной технологии, в которой активные и часть пассивных элементов выполняются в объеме полупроводника, а часть пассивных элементов - на его поверхности в тонкопленочном исполнении. Применение двух технологий повышает стоимость таких микросхем, но позволяет существенно повысить точность их параметров. [40]
Во-вторых, комплексная переработка сырья приводит к созданию производств с энерготехнологическими циклами и совмещенными технологиями, относящимися к различным отраслям промышленности. Задача разработки проекта такого производства обычно выходит за рамки отраслевой САПР. [41]
Развитие химических производств характеризуется значительным усложнением самих технологических схем, созданием энерготехнологических циклов, совмещенных технологий, аппаратов сложных конструкций, работающих в условиях высоких давлений, температур и агрессивных сред. Проектировщику необходимо решать проблемы охраны окружающей природной среды, применения новых материалов, рассчитывать параметры надежности оборудования. [42]
Как для гибридных интегральных микросхем, так и для полупроводниковых интегральных микросхем, изготовленных по совмещенной технологии, процессы создания активных и пассивных элементов разнесены во времени. [43]
На рис. 11.8 6 изображена схема, выполняющая ту же функцию, но изготовленная по совмещенной технологии. [44]
Институтом ТатНИПИнефть совместно со специалистами АО Татнефть была также разработана, испытана и сдана приемочной комиссии совмещенная технология обезвоживания природных битумов с применением в качестве разбавителя побочного продукта нефтебитумного завода - дистиллята. Ежегодный объем внедрения за последние 5 лет составляет 10 - 15 тыс. т обезвоженного природного битума, вовлеченного в товарные поставки. [45]