Эпитаксиальная технология

Cтраница 1

Эпитаксиальная технология сводится к выращиванию из паровой фазы тонких пленок полупроводников на подложках из монокристаллов. Распределение примесей в таких тонких пленках почти одинаково. Это позволяет получить практически очень четкий р - / г-переход. В зависимости от характера переноса атомов от источника осаждаемого вещества к подложке, на которой происходит их кристаллизация, процессы эпитаксии делятся на прямые и непрямые. [1]

Эпитаксиальные технологии открывают дорогу для широкого внедрения в кремниевую микроэлектронику гетероструктур на основе твердых растворов SiGe. Такие гетероструктуры обеспечивают принципиально новые возможности для создания сверхбыстродействующих транзисторов на основе гетеропереходов SiGe / Si. Широкие возможности вариации зонной структуры в многослойных гетероэпитаксиальных композициях позволяют резко увеличивать эффективность инжекции, дрейфовую скорость и пространственное ограничение носителей тока в транзисторных структурах. При этом технология изготовления гетероэпитаксиальных структур SiGe / Si хорошо вписывается в базовые кремниевые эпитаксиальные технологические процессы, высокий уровень развития которых позволяет достаточно воспроизводимо получать гетерокомпозиции нано-метровых размеров и создавать квантоворазмерные структуры типа структур с квантовыми ямами и напряженными сверхрешетками, в том числе гетероструктуры с двумерным электронным газом. [2]

Эпитаксиальная технология, обеспечивающая более точный контроль толщины высокоомного слоя, позволяет существенно улучшить параметры приборов. Пла-нарно-эпитаксиальные транзисторы отличаются низким сопротивлением тела коллектора / к, малой емкостью коллектора СКБ и большим пробивным напряжением. [3]

Эпитаксиальная технология может применяться и для изготовления других типов полупроводниковых приборов. [4]

Схема полусдвигающего регистра. [5]

Эпитаксиальная технология особенно пригодна для микросхем с большим числом слоев сложной конфигурации. [6]

Эпитаксиальная технология позволяет наращивать монокристаллические слои кремния, практически любой толщины на монокристаллические подложки того же либо другого полупроводникового, изолирующего или металлического материала. [7]

Изолирующие перегородки в полупроводниковых интегральных схемах. [8]

Эпитаксиальная технология сводится к выращиванию из паровой фазы тонких пленок полупроводников на подложках из монокристаллического кремния. После получения эпитаксиальной пленки ( толщина пленки 20 - 25 мкм) в нее методом диффузии вводят необходимую примесь. Распределение примесей в таких тонких пленках почти одинаково. Это позволяет получить практически очень четкий р - л-переход. [9]

Эпитаксиальную технологию применяют при опытном производстве лазерных, фосфидных и туннельных диодов. [10]

При эпитаксиальной технологии можно изготовлять приборы с очень тонкой базой, что является необходимым условием для получения высокочастотных транзисторов, быстродействующих импульсных и переключающих диодов. [11]

С помощью эпитаксиальной технологии реализуется двухслойная структура коллектора: низкоомная исходная пластина и выращенный тонкий высокоомный слой. Для маломощных транзисторов эпитаксиальное выращивание практически полностью заменило встречную диффузию. В настоящее время метод эпитак сиаль-ного выращивания считается более перспективным, чем метод обратной эпитаксии ( обращенного эпитаксиального наращивания) и метод встречной диффузии. Применение эпитаксиальных пленок улучшает три параметра диффузионных транзисторов: повышает пробивное напряжение коллекторного перехода, уменьшает сопротивление тела коллектора ( кэ нас) и емкость Ск. Кроме того, эпи-таксиальные приборы имеют более слабую зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера. [12]

Современное развитие эпитаксиальной технологии во многом связано с выращиванием сложных полупроводниковых структур, в которых в едином технологическом процессе создаются селективно вытравленные области, заполненные слоями с различными уровнями легирования и типом легирующей примеси. [13]

В настоящее время эпитаксиальная технология широко используется в промышленном производстве самых различных кремниевых приборов и можно ожидать, что ее дальнейшее развитие приведет к коренной перестройке существующих производственных циклов изготовления приборов, а также к созданию новых типов приборов. [14]

Основной сложностью в эпитаксиальной технологии является получение эпитаксиальной пленки, выдерживающей большие токовые нагрузки. [15]

Страницы: 1 2 3 4