Эпитаксиальная технология
Cтраница 2
В настоящее время по эпитаксиальной технологии могут быть получены эпитаксиаль-ные слои бинарных соединений QaAs, GaP, InP и другие в структурном отношении более совершенные, чем объемные монокристаллы. Они обладают лучшей однородностью распределения легирующих примесей и отличаются существенно меньшим содержанием неконтролируемых загрязнений. [17]
В связи с развитием эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых материалов и приборов требования к чистоте объемных монокристаллов уменьшились, поскольку их используют в основном для изготовления подложек, на которых методами газофазной ( германий, кремний и полупроводниковые соединения) или жидкофазной ( полупроводниковые соединения) эпитаксии изготовляют рабочий слой будущего полупроводникового прибора или интегральной схемы. Эпитаксиальная технология позволя-ет получать слой полупроводников очень высокой степени чистоты. [18]
Водород хлористый для использования эпитаксиальной технологии гф. [19]
В последнее время благодаря развитию эпитаксиальной технологии стали возможны и экспериментальные исследования. [20]
В современном материаловедении полупроводников используют эпитаксиальную технологию, прежде всего гетероэпи-таксию кремния и полупроводниковых соединений на изолирующих подложках. Здесь весьма перспективно освоение метода молекулярно-лучевой эпитаксии. [21]
В последнее время при изготовлении дрейфовых транзисторов используется эпитаксиальная технология, которая позволяет наращивать монокристаллическую полупроводниковую пленку на подложку из полупроводника любой проводимости. В эпитаксиальном транзисторе между базовыми и коллекторными областями образуется высок оомный слой с дырочной ( я-слой) или электронной ( v-слой) проводимостью. Высокоомный слой получается путем эпитаксиального насаждения высокоомной пленки монокристаллического полупроводника на низкоомную подложку, образующую коллекторную область; для образования базовой области используют метод диффузии; такой транзистор называют эпитаксиальным с диффузионной базой. [22]
 |
Типичные ВАХ полупроводниковых вентилей. купроксного ( Си, селенового ( Se, германиевых точечного ( Qe - т и плоскостного ( Ое-и, кремниевых точечного ( Si - т и плоскостного ( Si - n. [23] |
При изготовлении р-п переходов СВЧ диодов используются методы сплавной, диффузионной и эпитаксиальной технологии, а также различные их комбинации. Малая площадь р-п перехода ( около 0 01 мм2) обеспечивается меза-конструкцией. [24]
Оптопара диодная, состоящая из арсенидгаллиевого излучателя и кремниевого фотоприемника, изготовленных по эпитаксиальной технологии, иммерсионной среды и внутреннего экрана между ними. Предназначена для использования в качестве элементов гальванической развязки электрических цепей. Выпускается в метал-лостеклянном корпусе. [25]
Наряду с рассмотрением общих вопросов целесообразно кратко остановиться на конкретном положении дел в области эпитаксиальных технологий на примере кремния и наиболее важных полупроводниковых соединений. [26]
 |
Схема получения г гт. [27] |
В настоящее время все шире применяются новые методы изготовления полупроводниковых приборов, получившие название меза-технологии, планарной технологии и эпитаксиальной технологии. [28]
Особо чистые хлориды элементов III-V групп периодической системы используются как полупродукты при получении металлов и их окисей, в эпитаксиальной технологии и легировании полупроводников. [29]
Дальнейшее улучшение параметров тиристоров связано с применением новой технологии; так, планарная технология поз золит существенно уменьшить токи утечки, исключить нестабильность и значительно повысить надежность тиристоров, а внедрение эпитаксиальной технологии позволит значительно повысить быстродействие тиристоров. [30]
Страницы: 1 2 3 4