Эпитаксиальная технология
Cтраница 3
 |
Энергетическая диаграмма перехода GaAs - InSb. [31] |
Успехи полупроводниковой электроники в последние годы связаны главным образом с развитием полупроводниковой технологии, в частности с успехами в технике очистки поверхности, напыления металлических и полупроводниковых пленок в высоком вакууме и разработке эпитаксиальной технологии, что позволило получать контакты с заданными высокопроизводимыми характеристиками. [32]
Успехи полупроводниковой электроники в последние годы связаны главным образом с развитием полупроводниковой технологии, в частности, с успехами в технике очистки поверхности, напыления металлических и полупроводниковых пленок в высоком вакууме и разработке эпитаксиальной технологии, что позволило получать контакты с заданными высокопроизводимыми характеристиками. [33]
В связи с развитием эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых материалов и приборов требования к чистоте объемных монокристаллов уменьшились, поскольку их используют в основном для изготовления подложек, на которых методами газофазной ( германий, кремний и полупроводниковые соединения) или жидкофазной ( полупроводниковые соединения) эпитаксии изготовляют рабочий слой будущего полупроводникового прибора или интегральной схемы. Эпитаксиальная технология позволя-ет получать слой полупроводников очень высокой степени чистоты. [34]
Под эпитаксиальной пленкой понимают кристаллическую пленку, структура которой близка к структуре подложки, а ориентация соответствует ориентации последней. Эпитаксиальная технология важна в современной микроэлектронике. [35]
 |
Модель и эквивалентная схема диода. [36] |
В работе [72] рассматривается принцип действия канального тетрода и метод осуществления индуктивного элемента на его основе. Тетрод изготовлен по эпитаксиальной технологии. [37]
В качестве основы производства приборов служит материал с равномерным п-легировани-ем, на обратной стороне которого в процессе производства создается р - слой. Это отличается от обычных эпитаксиальных технологий, где в качестве р - слоя используется материал подложки. Однако в обоих случаях создается типичная для IGBT-структура. На сегодняшний день отсутствует однозначная оценка в выборе той или иной структуры. Например, температурные характеристики NPT для тока выключения более стабильны. [38]
Вполне реальными для широкого практического освоения в ближайшем будущем являются процессы получения высококачественных монокристаллических слоев кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов на изолирующих ( в том числе некристаллических) подложках большой площади, а также процессы эпитаксиального выращивания многослойных гетерокомпозиций типа металл-диэлектрик-полупроводник. В последнем случае, помимо традиционных эпитаксиальных технологий, целесообразно использовать интенсивно разрабатываемые в последние годы процессы создания скрытых проводящих и диэлектрических слоев, путем высокодозовой ионной имплантации ( ионного синтеза) и последующего термического отжига. Успешная реализация последних требует детального исследования закономерностей дефектообразования и механизма протекающих процессов на различных этапах ионного синтеза и последующей твердотельной эпитаксии. Пока такого рода исследования проводятся в основном в применении к кремнию. [39]
На рис. 4.17 приведена структурная схема тиристора с гетеропереходом. Для создания таких приборов необходима разработка специальных методов с применением эпитаксиальной технологии. Повышение допустимых значений di / dt и duldt осуществляют с помощью распределенного управляющего электрода и распределенного шунтирования эмиттерного перехода, граничащего с узкой базой р-типа ( см. гл. [41]
В свете сказанного кажется перспективным использование зпитаксиальной технологии для изготовления лавинных транзисторов. При этом реализуются достоинства высокочастотных транзисторов с диффузионной базой и устраняются указанные выше недостатки. Эпитаксиальная технология позволяет также улучшить ряд параметров лавинного транзистора, важных при его работе в импульсных схемах, например, позволяет получить малое последовательное сопротивление коллектора, малую емкость коллекторного перехода и достаточно большое напряжение пробоя перехода коллектор - база. Несмотря на то, что при 1 - 1 / Л1 0 7 сплавные транзисторы дают существенный выигрыш в быстродействии, сплавная технология, видимо, не найдет применения при изготовлении лавинных транзисторов из-за трудности получения узкой базы. Однако микросплавные транзисторы могут дать достаточно хорошие результаты, поэтому их возможности при работе в лавинном режиме необходимо исследовать детальнее. [42]
Так, например, для обеспечения прохождения большого тока через полупроводниковый прибор необходимо применять низкоомный полупроводниковый материал, а для обеспечения высоких пробивных напряжений - высокоомный полупроводниковый материал. Эпитаксиальная технология позволяет создавать двухслойные структуры на подложке из полупроводникового материала с малым удельным сопротивлением. Так, для диодной структуры падение напряжения в прямом направлении определяется низко-омной подложкой, а пробивное напряжение - высоко-омной зпитаксиальной пленкой. Возможно также создание двухслойного коллектора, состоящего из материала с малым удельным сопротивлением и пленки с высоким удельным сопротивлением. [43]
Так, например, для обеспечения прохождения большого тока через полупроводниковый прибор необходимо применять низкоомный полупроводниковый материал, а для обеспечения высоких пробивных напряжений - БЫСОКООМНЫЙ полупроводниковый материал. Эпитаксиальная технология позволяет создавать двухслойные структуры на подложке из полупроводникового материала с малым удельным сопротивлением. Так, для диодной структуры падение напряжения в прямом направлении определяется низкоомной подложкой, а пробивное напряжение - высокоомной эпитаксиальной пленкой. Возможно также создание двухслойного коллектора, состоящего из материала с малым удельным сопротивлением и пленки с высоким удельным сопротивлением. [44]
В этом случае активная часть прибора располагается в тонком высокоомном слое, параметры которого определяют электрические характеристики прибора, а толстая низкоомная подложка обеспечивает механическую прочность. Использование такой структуры приводит к значительному уменьшению последовательного сопротивления полупроводника в коллекторе и, что самое главное, ограничивает область, в которой возможно расширение нейтрального базового слоя. Использование эпитаксиальной технологии для создания лавинного транзистора предъявляет очень жесткие требования к однородности и совершенству кристаллической структуры эпитаксиально наращенного слоя. [45]
Страницы: 1 2 3 4