Толстопленочная технология

Cтраница 2

В толстопленочной технологии материалы для проводников, резисторов и диэлектриков наносят на подложку через маски в виде специальных чернил: смеси стеклянной и металлической пудры для резисторов, диэлектрического порошка на связке ( биндере) для диэлектриков. Такая технология называется еще шелкографией, так как рисунок пропечатывают чернилами на подложку через ткань. [16]

Особенностью толстопленочной технологии является наличие операции высокотемпературного вжигания пасты. Отсюда одно из важных требований к материалу подложки - выдерживать высокую температуру, часто более 1000 С. Это требование не позволяет применять ситалловые подложки, используемые для тонкопленочных микросхем, и делает очевидным применение керамики. Кроме этого подложки должны обладать хорошими диэлектрическими свойствами, иметь хорошую адгезию с материалами пасты и обрабатываться при высоких температурах. [17]

В толстопленочной технологии материалами проводников, резисторов и диэлектриков являются специально приготовленные смеси металлических, стеклоэмалевых и некоторых диэлектрических порошков с органической связкой. Эти составы наносят через металлический сетчатый трафарет на керамическую подложку и вжигают в печи при температурах от 500 до 1200 С. [18]

Сущность толстопленочной технологии заключается в том, что на диэлектрическую подложку через трафарет последовательно наносят и вжигают слои различных проводящих, резистивных и диэлектрических паст. В результате получают слои заданной конфигурации, которые служат для формирования проводников, резисторов и конденсаторов толстопленочной микросхемы. В качестве материала подложки, как правило, используют керамику с развитой шероховатой поверхностью для повышения сил сцепления пленки с подложкой. [19]

При использовании толстопленочной технологии с помощью трафаретной печати создают изоляционные и проводящие слои, которые затем вжигают в основание. Так как керамика в неотожженном состоянии допускает механическую обработку для получения монтажных отверстий, то появляется возможность методом послойного наращивания формировать многослойные структуры с межслойными проводящими переходами. Метод обеспечивает высокую надежность изделий и производительность процесса без применения дорогостоящего оборудования. Однако при изготовлении многослойных проводящих структур требуются материалы со ступенчатыми температурами вжигания. Применение сырых керамических пленок позволяет параллельно изготавливать слои МПП. Скорость повышения температуры должна быть оптимальной и не приводить к растрескиванию подложки. [20]

Методы изоляции элементов в полупроводниковых ИС. [21]

Методами тонкопле рчной и толстопленочной технологии хорошо освоено изготовление только пассивных элементов и соединительных проводников. [22]

Схема установки магнетронного распыления непрерывного действия Магна. [23]

Пасты, используемые в толстопленочной технологии, представляют собой тиксотропные ( уменьшающие свою вязкость при увеличении давления) суспензии мелкодисперсных порошков функциональных материалов ( металлов, оксидов металлов, солей) и стекла в органическом связующем. [24]

Трафареты, применяемые в толстопленочной технологии, можно подразделить на три подгруппы: с эмульсионными покрытиями элементных участков, с металлическим покрытием и сплошные металлические маски для контактной печати. [25]

Пасты, применяемые в толстопленочной технологии, делятся на проводящие, резистивные и диэлектрические. Пасты для проводящих слоев весьма разнообразны. Применяются, например, пасты на основе благородных металлов. Изменяя концентрацию диэлектрической фазы, можно регулировать сопротивление пленок в широких пределах. [26]

В автотракторном электрооборудовании чаще применяется толстопленочная технология. [27]

Гибридная интегральная схема ( ГИС на металлической подложке с диэлектрическим - покрытием. [28]

При изготовлении микроэлектронных изделий средствами толстопленочной технологии замена керамических подложек на металлические ( толщиной 0.7 - 1 мм) с диэлектрическим покрытием ( МДП, рис. 1) позволяет повысить механическую прочность, термостойкость, рассеивающую мощность, расширить конструктивные возможности, снизить стоимость. Работы, выполненные в последние годы [1, 2], выявили основные требования к элементам МДП, их преимущества и недостатки. [29]

С точки зрения допустимой мощности рассеяния толстопленочная технология лучше тонко пленочной, особенно при использовании подложек из окиси алюминия и бериллия. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5