Толстопленочная технология

Cтраница 3

Материалы ( пасты и др.) толстопленочной технологии предназначены для нанесения на керамическую подложку резистивных, диэлектрических, контактных и проводящих слоев. Для создания необходимой топологии отдельных слоев используются трафареты из сетчатых материалов с очень малым размером ячеек. В соответствии с топологией на определенных участках трафаретов ячейки заполняются эмульсией, предохраняющей подложку от попадания пасты на эти участки. Пасты, нанесенные на подложку, приобретают необходимые свойства при температуре испарения органической связующей компоненты пасты и спекания материала. [31]

Многие технологические процессы, объединяемые сейчас названием толстопленочная технология, продолжительное время использовались для нанесения металлизации на керамику при изготовлении катушек индуктивности, керамических конденсаторов и других высококачественных радиоэлементов. Толстопленочная технология широко применялась также при изготовлении элементов микромодулей, в частности микромодулей этажерочной конструкции. Здесь находили применение процессы нанесения пленок вжиганием из паст проводящих, резистивных и диэлектрических слоев. [32]

Неоднородные ЯС-структуры со ступенчатым ( а, б и плавным ( в, г изменением параметров. [33]

Несколько проще решаются эти задачи при применении толстопленочной технологии. [34]

Подложка должна обладать повышенной теплопроводностью, так как толстопленочная технология характерна для мощных гибридных микросхем. Поэтому применяют высокоглиноземистые ( 96 % А12О3) и бериллиевые ( 99 5 % ВеО) керамики. [35]

Диэлектрические пасты для толстопленочных конденсаторов. [36]

Следует учитывать, что погрешность совмещения слоев при толстопленочной технологии больше, чем при тонкопленочной. Для исключения замыканий между обкладками за счет смещения слоев, необходимо, чтобы диэлектрик выступал за край нижней обкладки не менее чем на 300 мкм. [37]

В интегральном исполнении-элементы схем выполняются по тонкопленочной либо толстопленочной технологии. [38]

Подложки, используемые для нанесения пленок с применением толстопленочной технологии, должны обладать следующими свойствами: 1) однородной гладкой поверхностью, обеспечивающей высокую адгезию толстой пленки, прошедшей термообработку; 2) минимальным изгибом поверхности и плоскопараллельностью; 3) устойчивостью к высокотемпературному воздействию в процессе термообработки, обычно проводимой в интервале температур от 500 до 1000 С; 4) большой механической прочностью, высокой теплопроводностью и хорошими электрическими характеристиками; 5) совместимостью по физическим и химическим свойствам с пастой, применяемой для создания пленочных проводников и резисторов, а также диэлектрических и полупроводниковых слоев; 6) низкой стоимостью при массовом выпуске продукции. [39]

При изготовлении пассивных элементов гибридных схем применяют тонкопленочную или толстопленочную технологию. К толстым пленкам относятся пленки толщиной от нескольких микрометров до нескольких сотен микрометров, к тонким - толщиной до 1 - 2 мкм. [40]

При использовании керамических подложек для многослойной коммутации может быть использована толстопленочная технология. В этом случае проводники получаются методом трафаретной печати пастой состава Ag-Pd, слой диэлектрика - пастой, состоящей из смеси порошка А12О3 со стеклом. Межслойные переходы могут быть получены одновременно с нанесением верхнего слоя проводников. [41]

Фильтр-прототип нижних частот ( а и эквивалентная схема фильтра верхних. [42]

Сосредоточенные конденсаторы в виде чипов, изготовленные с помощью тонкопленочной либо толстопленочной технологии, с успехом применяются на частотах до 20 ГГц. В примере 5.7 рассмотрен ФВЧ в коаксиальном исполнении, содержащий элементы как с сосредоточенными, так и с распределенными параметрами. [43]

Полосковые линии, работающие на частотах до 4 ГГц, изготовляются преимущественно методами толстопленочной технологии. [44]

Пассивная часть электрической схемы, состоящая из резисторов и проводников, выполняется методами толстопленочной технологии путем нанесения на керамическую подложку через систему трафаретов топологического рисунка, образованного слоями проводниковых и рези-стивных паст. После термической обработки подложки ( вжигания) образуется пассивная часть электрической схемы, на которую методом поверхностного монтажа устанавливаются бескорпусные компоненты с подготовленными для поверхностного монтажа выводами. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5