Полупроводниковая технология
Cтраница 1
Полупроводниковая технология в последние десятилетия быстро развивается, и для выполнения как измерительной, так и логической части защиты появляются все новые возможности. Была также рассмотрена возможность осуществления измерительных органов с использованием специфического явления, открытого в 1979 г. и получившего названия эффект Холла. [1]
Полупроводниковая технология позволяет создавать полупроводниковые БИЛС с высокой степенью интеграции. [2]
Полупроводниковая технология делится на пленарную и изопланарную, отличающиеся тем, что в первом случае изоляция отдельных элементов микросхем осуществляется с помощью переходов, а во втором - с помощью окисной либо воздушной среды. [3]
Полупроводниковая технология в теоретическом плане разработана сравнительно слабо и в этом отношении еще далека от уровня физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Тем не менее целесообразно дать общее представление об основных этапах технологического процесса, поскольку такие сведения могут способствовать лучшему пониманию свойств, параметров и особенностей самих приборов. [4]
Полупроводниковая технология характерна для изделий массового производства таких, как электронные клавишные вычислительные машины, электронные часы, микропроцессоры и запоминающие устройства. [5]
Полупроводниковая технология в последние десятилетия быстро развивается, и для выполнения как измерительной, так и логической части защиты появляются все новые возможности. Была также рассмотрена возможность осуществления измерительных органов с использованием специфического явления, открытого в 1979 г. и получившего названия эффект Холла. Разработанные в СССР ( В. К. Сиротко) на его основе органы по своим принципиальным свойствам аналогичны индукционным системам с цилиндрическим ротором. [6]
Полупроводниковая технология в теоретическом плане разработана сравнительно слабо и в этом отношении еще далека от уровня физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Тем не менее целесообразно дать общее представление об основных этапах технологического процесса, поскольку такие сведения могут способствовать лучшему пониманию свойств, параметров и особенностей самих приборов. [7]
Почему полупроводниковая технология, рассмотренная на примере микропроцессоров и СБИС, оказывает такое мощное стимулирующее воздействие на экономическое развитие, изменение нашего общества и образа жизни. [8]
В полупроводниковой технологии, помимо очистки от посторонних примесных атомов, исключительно важное значение имеет соблюдение стехиометрического состава, а также получение совершенных монокристаллов. В поликристаллическом теле больше трещин, микронеоднородностей и других нарушений решетки. [9]
Методы полупроводниковой технологии используются для создания на единой подложке активных элементов ( транзисторов, диодов и др.) и пассивных элементов ( резисторов, конденсаторов) ИС. [10]
В полупроводниковой технологии электронный луч применяют для вырезания кристаллов различной конфигурации, для получения закрытого профиля и прошивки сверхтонких сквозных отверстий, для прецизионной сварки в вакууме и для других видов обработки. [11]
В полупроводниковой технологии, кроме очистки веществ и строгого соблюдения условий синтеза и состава соединений, громадное значение имеет получение совершенных монокристаллов. Было сказано, что для полупроводниковых приборов часто нужны пластины, вырезанные по определенным плоскостям монокристаллов. Нарушение монокристалличности затрудняет изготовление приборов с одинаковыми параметрами и нарушает их работу. Кратко остановимся на рассмотрении некоторых методов получения особо чистых веществ и на получении монокристаллов преимущественно полупроводников. [12]
В полупроводниковой технологии кроме очистки веществ и строгого соблюдения условий синтеза и состава соединений громадное значение имеет получение совершенных монокристаллов. Для полупроводниковых приборов часто нужны пластины, вырезанные по определенным плоскостям монокристаллов. Нарушение монокристалличности затрудняет изготовление приборов с одинаковыми параметрами и нарушает их работу. Кратко рассмотрим некоторые методы получения особо чистых веществ и монокристаллов преимущественно полупроводников. [13]
 |
Принципиальная схема реакторов для выращивания пленок кремния методом газовой эпитаксии ( а и пленок арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии ( б. [14] |
В полупроводниковой технологии эпитаксией обычно называют процесс получения автоэпитаксиальных слоев, например кремния на кремнии, при осаждении из газовой или жидкой фазы. [15]
Страницы: 1 2 3 4