Полупроводниковая технология

Cтраница 2

В полупроводниковой технологии используют практически только кристаллические полупроводниковые материалы. Для изготовления полупроводниковых микросхем, транзисторов, диодов наиболее широко применяют кремний, в меньшей степени - арсенид галлия, германий, для оптоэлектронных приборов - арсенид галлия, соединения третьей и пятой, второй и шестой групп, а также их композиции. Находят применение и другие полупроводниковые кристаллические материалы. [16]

В полупроводниковой технологии еще не разработаны способы, позволяющие заменять катушки индуктивности. [17]

Успехи полупроводниковой технологии, достигнутые за последние 15 - 20 лет, привели к возникновению перспективного и быстро развивающегося класса полупроводниковых приборов - интегральных микросхем. Интегральная микросхема представляет собой миниатюрный, конструктивно завершенный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры, включающий в себя большое количество взаимосвязанных элементарных полупроводниковых и других приборов, совместно выполняющих определенную функцию формирования, хранения или обработки сигналов. Интегральные микросхемы, позволяющие существенно уменьшить габариты и стоимость аппаратуры, повысить ее надежность, составляют предмет микроэлектроники. [18]

В полупроводниковой технологии используют очень широкий диапазон разрежений ( от 10 - 2 до К) - 11 мм рт. ст.), поэтому получать вакуум каким-либо одним способом трудно. Для получения достаточно высокого вакуума обычно применяют несколько последовательно включенных вакуумных насосов и специальные поглотители и ловушки. [19]

В полупроводниковой технологии галлий используют в основном в качестве легирующей примеси. Так, например, для увеличения эффективности эмиттера галлий добавляют в электродный эмиттерный сплав. Кроме того, галлий добавляют во многие электродные сплавы для омических контактов. [20]

В полупроводниковой технологии карбид бора применяют для шлифовки германия, кремния и карбида кремния. [21]

В полупроводниковой технологии свинец в основном используют в качестве составной части припоев различных марок: ПОС-40 ( 60 % свинца, 40 % олова), ПОС-60 ( 60 % олова, 40 % свинца) и электродных сплавов для германия и кремния. [22]

В полупроводниковой технологии применяют азот в качестве инертной среды; жидкий азот используют для наполнения ловушек в вакуумных системах. [23]

В полупроводниковой технологии аргон используют при вытягивании монокристаллов и сплавлении полупроводниковых материалов с электродными сплавами, а также при сборке приборов в инертной среде. [24]

В полупроводниковой технологии алюминий особой и высокой чистоты широко используется в качестве электродного акцепторного материала при создании р-я-переходрв на кремнии методом сплавления. [25]

Химический состав свинца различных марок. [26]

В полупроводниковой технологии свинец в основном используют как составную часть различных припоев ( см. разд. С кремнием свинец не сплавляется. [27]

Дальнейшее развитие полупроводниковой технологии привело к созданию пленочных фотоэлементов, что значительно снизило их вес. [28]

Достигнутые успехи полупроводниковой технологии обеспечили возможность создания уже в 1975 г. БИС запоминающих устройств с произвольной выборкой ( ЗУПВ) информационной емкостью 4К бит, в 1978 - 16К бит; в 1980 г. - 65К бит; в 1981 г. - 265К бит. Именно эти технологии обеспечивают изготовление транзисторов с минимальными размерами и наибольшим быстродействием при наилучших показателях добротности. Четыре из этих перспективных технологий производства полупроводниковых БИС ЗУ относятся к технологиям изготовления полупроводниковых ЗУ на транзисторах МДП-типа. [29]

Материалы для полупроводниковой технологии предназначены для создания в твердом теле или на его поверхности микрообластей с различным характером проводимости, проводящих и изоляционных областей, контактных слоев. Полупроводниковая технология использует часть основных и вспомогательных материалов, с помощью которых создаются контактные площадки, проводниковые соединения. [30]

Страницы: 1 2 3 4