Cтраница 4
Объединение сложных функциональных узлов произошло в рамках полупроводниковой технологии, при которой большое число полупроводниковых компонентов ( транзисторов, диодов, стабилитронов и др.) выполнено на одном кристалле кремния. [46]
К качеству поверхности пластин и кристаллов в полупроводниковой технологии предъявляют весьма жесткие требования, к которым относятся следующие. [47]
Помимо травления, важнейшим химическим процессом в полупроводниковой технологии является очистка поверхности от загрязнений органическими веществами, особенно жирами. Такую очистку приходится проводить неоднократно, в частности перед каждым травлением, поскольку скорость травления резко уменьшается в местах загрязнений. [48]
Спаи ковара со стеклом широко распространены в полупроводниковой технологии благодаря высокой механической прочности и свойству ковара хорошо паяться твердыми и мягкими припоями. Иногда детали из ковара, будучи припаянными к металлу корпуса прибора твердыми припоями, выполняют роль переходов между стеклом и металлом корпуса прибора. [49]
Наряду со сплавлением в последние годы благодаря успехам полупроводниковой технологии все большее значение начинает приобретать диффузионный метод получения p - n - переходов. Применяемые методы диффузии сводятся к созданию вблизи поверхности полупроводника тонкого слоя с высокой концентрацией атомов примеси. [50]
Интегральные микросхемы могут изготавливаться с помощью пленочной или полупроводниковой технологии. Возможны интегральные микросхемы, при изготовлении которых используются как те, так и другие технологические процессы. [51]
Технология ГИС сравнительно проста и требует меньших, чем полупроводниковая технология, начальных затрат на оборудование, помещения, подсобные службы. Примерами такой аппаратуры могут служить некоторые виды блоков обмена информацией с цифровыми вычислительными машинами ( ЦВМ), устройств питания, тактовых генераторов, преобразователей аналог-код, связной и СВЧ аппаратуры. [52]
Итак, теперь нам осталось ознакомиться с циклом 2 полупроводниковой технологии, который включает ряд завершающих операций с полупроводниковыми дисками, содержащими проверенные в ходе предварительных испытаний структуры ИС. [53]
Фирма считает, что метод пульверизации более удобен для полупроводниковой технологии, чем общепринятый метод центрифугирования, поскольку в последнем случае центробежные силы вызывают разрывы пленки резиста на дефектах подложки ( например, выступы на поверхности SiO2), а поверхностное натяжение приводит к образованию утолщенного слоя на краях подложки. [54]