Тонкопленочная технология

Cтраница 2

Методами тонкопленочной технологии изготовляют не только проводящие, но и магнитные, полупроводниковые, диэлектрические, люминесцентные, фотоэлектрические и другие пленки. [16]

В тонкопленочной технологии используются различные технологические методы нанесения тонкопленочных структур: термовакуумное напыление, катодное распыление, реактивное распыление в среде остаточных молекул реактивного газа, ионноплаз-менное распыление, высокочастотное распыление. [17]

При этом тонкопленочная технология обеспечивает ширину проводника и зазор порядка 0 1 мм, а контактные площадки 0 3 X 0 3 мм. Кроме этого, тонкопленочная схема межсоединений и термокомпрессионная сварка повышают надежность микроконтактов, одновременно сокращая их количество примерно на два порядка. Коммутационная печатная плата ( второй уровень коммутации) обеспечивает необходимые соединения между бескорпусными ГИС и имеет более простую топологию, чем при использовании корпусированных микросхем. [18]

Преимущественное развитие тонкопленочной технологии в отраслях прецизионного приборостроения объясняется возможностью получения высокой разрешающей способности, точности и стабильности элементов схем. Этот вид технологии, единственно приемлемый при производстве матриц прецизионных резисторов, делителей напряжения, операционных усилителей высокого класса, стабилизаторов напряжения, а также специальных схем усилительных и измерительных приборов контроля и регулирования. [19]

В случае тонкопленочной технологии уровень помех в цепях за счет общих проводимостей может значительно возрасти не только из-за уменьшения линейных размеров ( толщины проводников), но и из-за влияния поверхностного сопротивления пленок. [20]

Плоскостность подложек в тонкопленочной технологии имеет значение, в основной, в двух ситуациях. Во-первых, когда подложка находится в контакте с держателем или нагревателем во время осаждения плевки, во-вторых, в процессе фотолитографии, где требуется плотный контакт с фотошаблоном. [21]

Наиболее плодотворным направлением тонкопленочной технологии является выращивание тонких монокристаллических пленок из полупроводниковых материалов в парообразном состоянии. Этот метод может быть использован для нанесения активных элементов в тонкопленочных цепях и создания новых функциональных элементов. [22]

На основе принципов тонкопленочной технологии и квантовой микроэлектроники также изготовляют дискретные элементы, информация в которых сохраняется в виде незатухающих токов сверхпроводимости при температурах, близких к абсолютному нулю. При изменении внешнего магнитного поля такие устройства ( криотроны) могут переходить из сверхпроводящего в обычное состояние, что позволяет наряду с памятью осуществлять любые логические операции. Основным преимуществом криотронов является очень высокая надежность. Для повышения быстродействия криотронов используют эффект управления током, протекающим через тонкую диэлектрическую пленку, размещенную между двумя сверхпроводниками, путем изменения внешнего магнитного поля без нарушения состояния сверхпроводимости. [23]

Тонкопленочный крио-трон.| Зависимость критического напряжения магнитного поля от температуры для некоторых материалов. [24]

Такой криотрон изготовляется методами тонкопленочной технологии. Устройство, собранное на криотронах, погружается в среду, имеющую температуру ниже критических температур обеих пленок. Криотроны как элементы схем просты и имеют малые размеры. Они позволяют создавать запоминающие устройства большой емкости. При этом экономия на питании отдельных элементов превышает расходы на криогенную установку и вспомогательное оборудование. Широкому применению криогенных устройств препятствуют трудности, связанные с работой при низких температурах. [25]

Различные типовые технологические процессы тонкопленочной технологии ( масочный, фотолитографический, комбинированный и др.) обеспечивают формирование пленочных элементов в широком диапазоне значений их параметров с достаточно высокой точностью и воспроизводимостью. Толстопленочная технология также позволяет формировать элементы с различным значением параметров. Однако точность и воспроизводимость значений параметров низкие; необходимой операцией данной технологии является подгонка элементов до требуемого значения параметров. Вид технологии определяет материал и размер платы. В свою очередь размер платы зависит от типоразмера необходимого корпуса, выбор типа которого обусловлен условиями эксплуатации. [26]

Резисторная матрица выполнена по тонкопленочной технологии на отдельном кристалле, входящем в микросхему. В матрице использованы двоично-взвешенные резисторы в старших разрядах с первого по восьмой и резисторная матрица типа R - 2R в младших разрядах с девятого по двенадцатый. При изготовлении кристалла используется лазерная подгонка резисторов матрицы на этапе функциональной настройки ЦАП. [27]

Трафареты, применяемые в тонкопленочной технологии, могут быть монометаллическими, биметаллическими и комбинированными. [28]

СВЧ усилитель на диоде Ганна. [29]

Пассивные элементы схемы изготовляются методами тонкопленочной технологии на сапфировой подложке. Для уменьшения потерь за счет скин-эффекта производится дополнительное гальваническое наращивание металла на все проводники. ЛПД монтируется непосредственно на медный теплоот-вод и соединяется с пассивной частью металлической ленточкой. Индуктивность этой ленточки и емкость диода определяют резонансную частоту генератора. [30]

Страницы: 1 2 3 4