Тонкопленочная технология

Cтраница 3

Методы травленил пленки.| Схема контактной фотолитографии.| Схема проекционной фотолитографии. [31]

Это ограничение особенно важно для тонкопленочной технологии, где размер подложки 60X48 мм и выше. [32]

Импульсные усилители. и - положительной полярности. б - отрицательной полярности. в - биполярные. [33]

Микросхемы данной серии выполнены по гибридной тонкопленочной технологии. [34]

Выше было показано, что для тонкопленочной технологии характерно многообразие материалов компонентов схем и технологических приемов, используемых при изготовлении микросхем различного назначения. [35]

Схема продвижения ЦМД на пермаллоевых аппликациях клиновидной формы. [36]

Для получения таких схем пользуются методами тонкопленочной технологии. При пропускании по петле тока возникает местное магнитное поле, которое, взаимодействуя с полем ЦМД, втягивает его под петлю. Для захвата ЦМД необходимо, чтобы местное поле частично перекрывало домен. Это требование в некоторой степени обусловливает размеры петель. [37]

Гибридно-пленочные аналоговые микросхемы изготовляются преимущественно методами тонкопленочной технологии. [38]

Особую трудность при изготовлении ГБИС по тонкопленочной технологии представляет создание многослойной коммутации. Изолирующий слой в пересечениях должен быть без сквозных пор, которые вызывают короткие замыкания между коммутирующими элементами в процессе изготовления и эксплуатации микросхемы. Такие поры могут быть образованы, например, твердыми микроскопическими частицами, выброшенными из испарителя, дефектами на поверхности подложки, а также локальным распадом конденсата и диффузией металлических частиц во время эксплуатации микросхем. [39]

Гибридные интегральные схемы изготавливаются на основе тонкопленочной технологии, причем в качестве активных элементов в их состав входят отдельные микроминиатюрные ( бескорпусные) транзисторы и диоды, располагаемые в общем корпусе или в пластмассовом контейнере. Гибридные схемы отличаются высоким качеством пассивных компонентов и большей гибкостью в смысле выбора типов активных элементов и допускают при необходимости большую мощность рассеяния. Из-за большего числа соединений в отношении надежности они уступают полупроводниковым схемам. [40]

Однако практическая реализация гибридных микросхем по тонкопленочной технологии самым тесным образом связана с выбором материалов для тонкопленочных элементов схем, подложек и проводников, а также зависит от выбранных типов выводов и методов герметизации. [41]

Метод селективной фотолитографии значительно повышает производительность тонкопленочной технологии за счет возможности нанесения слоев без разгерметизации вакуумных установок в едином цикле. [42]

Для создания таких схем пользуются методом тонкопленочной технологии. При пропускании по петле тока возникает местное магнитное поле, которое, взаимодействуя с полем ЦМД, втягивает его под петлю. Для захвата ЦМД необходимо, чтобы местное поле частично перекрывало домен. Это требование в некоторой степени обусловливает размеры петель. [43]

Специфические свойства повзрхности эффективно используются в тонкопленочной технологии получения, например, фотодиодов, интегральных магнитных элементов вычислительной техники, приемников у - и ИК-излучения, радиопоглощающих и радиоотра-жающих покрытий, тензодатчиков, преобразователей солнечной энергии и др. Для нанесения пленок используют следующие процессы: диффузионное насыщение, плазменное ( или иное) напыление, испарение - конденсация, электрохимическое осаждение, электрофорез, ионную имплантацию, химический транспорт. [44]

Специфические свойства повзрхности эффективно используются в тонкопленочной технологии получения, например, фотодиодов, интегральных магнитных элементов вычислительной техники, - приемников - у - и ИК-излучения, радиопоглощающих и радиоотра-жающих покрытий, тензодатчиков, преобразователей солнечной энергии и др. Для нанесения пленок используют следующие процессы: диффузионное насыщение, плазменное ( или иное) напыление, испарение - конденсация, электрохимическое осаждение, электрофорез, ионную имплантацию, химический транспорт. [45]

Страницы: 1 2 3 4