Cтраница 2
В твердых диэлектриках мы находим еще один тип смещения зарядов, приводящий к поляризации. Кристаллические решетки многих веществ построены из положительных и отрицательных ионов. Примером может служить кристалл хлористого цезия. [16]
![]() |
Элементарная ячейка кристалла хлористого цезия CsCl. [17] |
В твердых диэлектриках мы находим еще один тип смещения зарядов, приводящий к поляризации. Кристаллические решетки многих веществ построены из положительных и отрицательных ионов. Примером может служить кристалл хлористого цезия. Рассматривая все ионы Cs и все ионы С1 порознь, мы находим, что они образуют две простые кубические решетки, сдвинутые друг относительно друга в направлении диагонали куба на расстояние половины диагонали. [18]
В твердых диэлектриках мы находим еще один тип смещения зарядов, приводящий к поляризации. Кристаллические решетки многих веществ построены из положительных и отрицательных ионов. Примером может служить кристалл хлористого цезия. Схема дипольной ( рис. 90), в вершинах которого находятся поляризации. [19]
Возможны 2 предельных случая, соответствующие переходам типа смещения и типа порядок - беспорядок. [20]
Рассматриваемые схемы выходных каскадов в зависимости от типа смещения и типа ламп могут иметь ряд модификаций, на рассмотрении которых здесь останавливаться не представляется возможным. [21]
Можно сказать, что если информация об одном типе смещения содержится в статических параметрах интерферограммы, то о другом - проявляется в динамических параметрах. [22]
Для фиксации положения базированной переменной в области применяется переменная типа смещения, которая содержит относительный адрес переменной от начала области. [23]
Титанат свинца может служить классическим примером материала с сегнетоэлек-трическим переходом типа смещения. При переходе в тетрагональную фазу из кубической кислородный октаэдр не испытывает никаких искажений, ионы кислорода и катионы В по отношению к катионам А сдвинуты в одном и том же направлении. [24]
Известно, что при описании кристаллического превращения как фазового перехода типа смещения параметр порядка сводится к компоненте тензора деформации решетки. Однако при этом совершенно неясно как разделить полевую ( упругую) и материальную ( пластическую) составляющие вектора смещения атомов в процессе превращения. [25]
Рассмотрим в заключение вопрос о применимости теории Ландау к переходам типа смещения и типа порядок - беспорядок. [26]
![]() |
Структура титаната бария. а - идеальная кубическая решетка. б - изменение параметров кристаллической решетки от температуры. [27] |
В параэлектри ческой области выше точки Кюри дисперсия g в сегнетоэлектриках типа смещения, в том числе и в титанате бария, отсутствует до миллиметровых длин волн. [28]
Теория, развитая В. Л. Гинзбургом и А. П. Леваню-ком [423], связывает фазовые переходы типа смещения с динамикой кристаллической решетки. Согласно этой теории, частота одной ( или нескольких) линии комбинационного рассеяния при приближении к точке перехода стремится к нулю, а интенсивность ее сильно возрастает. [29]
Сопоставим теперь на основе рассмотрения нашей модели свойства систем с переходами типа смещения и типа порядок - беспорядок. Можно надеяться, что, несмотря на упрощенный характер модели, мы получим правильные представления о соотношении порядков величин макроскопических констант для реальных кристаллов, имеющих такие фазовые переходы. [30]