Cтраница 4
Таким образом, результаты данной работы совместно с достаточно надежными данными оптических измерений, приведенными в работе ПзЛ, и независимых теоретических расчетов ИК-спектров BaTiO [ 83 уверенно свидетельствуют в пользу важной роли зародышеобразо-вания в процессах возникновения спонтанной поляризации в сегнето-электриках типа смещения. При этом, как указывалось, роль зародышей поляризации играют участки скоррелированных смещений ионов. Согласно работе [12], эти участки, названные критическими флук-туациями поляризации, в значительном интервале температур выше Тс одинаково хорошо описываются либо моделью сильно демпфированных ионов, либо моделью перескакивающих ионов. Предложенная нами в работе С8 ] микроскопическая модель зародышей, согласующаяся со всей совокупностью полученных экспериментальных данных, свидетельствует о решающей роли перескока ионов в процессах динамической поляризации сегнетоэлектриков типа смещения и тем самым позволяет сделать выбор в пользу одной из рассмотренных в работе [12] моделей. [46]
![]() |
Оползень-поток ( в Гиссарской долине, Южно-Таджикская депрессия. [47] |
Оползневые течения образуются в результате переувлажнения 1 5 - 3 5-метровой толщи лессовых пород за счет интенсивного выпаде-ия атмосферных осадков. Характеризуется этот тип смещения ( оплывины и поверхностные сплывы) быстрым развитием, незначительным объемом и повсеместным распространением. Оползни скольжения образуются в породах большой мощности, смещение происходит по нескольким поверхностям ( зонам) скольжения. Движение земляных масс идет очень медленно, они продвигаются на значительное расстояние. В механизме развития хорошо выделяются стадии подготовки, движения и стабилизации. Увлажнение пород происходит в основном за счет подземных вод, а деформации образуются только в том случае, когда в определенном объеме породы влажность в естественном состоянии превышает критическую величину. В этом типе смещения наиболее ощутимо проявляется характер взаимосвязи полей увлажнения с полем деформации. [48]
Свойства двух предельных типов систем отличаются количественно; различны и механизмы сегветоэлсктрич. Для кристаллов типа смещения характерно наличие в спектре колебаний крис-таллич. [49]
Как уже отмечалось, дисперсия такого типа ( ее называют релаксационной или дебаев-ской) характерна для сегнетоэлек-триков типа порядок - беспорядок; ее упрощенная микроскопическая теория будет дана ниже. Для переходов типа смещения в (10.2) удерживается и член со второй производной, а коэффициенту при т ] придается смысл эффективной массы; уравнение движения приобретает вид, характерный для осциллятора с затуханием. [51]
К первой относятся сегнето-электрики типа смещения со значительной степенью ионной связи ( напр. В них спонтанная поляризация возникает в результате смещения ионов в под-решетках. Ко второй группе относятся сегпетоэлектрики типа порядок - беспорядок, имеющие дипольные группы с ковалентными связями ( напр. Спонтанная поляризация в них возникает вследствие упорядочения диполей. [52]
![]() |
Температурные зависимости диэлектрической проницаемости твердых растворов на основе титаната бария в слабом электрическом поле. Цифры на кривых указывают содержание. [53] |
Среди новых сегнетоэлектриков интенсивно исследуется семейство перовскитов с общей формулой АВХ3, где A - Me, NH4, В - Ме2, X - галогениды, С1, F. Установлены фазовые переходы I рода типа смещения. Некоторые соединения претерпевают несколько фазовых переходов, например, сегнетоэла-стики CsSrCb - при 90, 102, 112 С, ТШпСЦ - при - 38 4, 23 С. Сложные галоидные соединения А2В В3 Хе кристаллизуются в перовскитовые, гексагональные и другие слоистые структуры. [54]
Интерферограмма на рис. 83, а получена путем пространственной фильтрации в плоскости самой голограммы - при освещении голограммы неразведенным лазерным пучком. Она отображает действие на объект обоих типов смещения. Интерферограмма на рис. 83, б, полученная путем пространственной фильтрации в фурье-плоскости объектного поля, не содержит вклада поступательного сдвига и отражает только деформационное смещение. [56]
Рассмотренные модели структурных фазовых переходов II рода характеризуются тем, что в точке фазового перехода начинается смещение атомов, приводящее к изменению симметрии кристалла. Поэтому такие переходы называют фазовыми переходами типа смещения. [58]
С позиций динамической теории кристаллической решетки возможность образования несоразмерных фаз представляется довольно естественной. Поясним это на примере фазовых переходов типа смещения. [60]