Силовой тиристор

Cтраница 2

Вольт-амперные характеристики силовых тиристоров в прямом направлении, как и в обратном, полностью определяются свойствами р-п-р-п структур. Вольт-амперные характеристики этих структур в закрытом состоянии были подробно рассмотрены в § 7.1. Здесь можно добавить только следующее. Переходы ] и / з реальных р-п-р-п структур, как было отмечено в § 7.3, практически идентичны друг другу. [16]

Фаски структур силовых тиристоров, как и фаски структур силовых диодов, травятся в различных трави-телях, тщательно отмываются, пассивируются и защищаются кремнийорганическими компаундами. [17]

Выпрямительный элемент тиристора со сплавным термокомпенсатор & м.| Воздействие емкостного тока коллекторного перехода тиристора на участки перехода / 3 вдоль его внутренней и внешней границ. [18]

Тиристорные элементы силовых тиристоров, как и соответствующие элементы силовых диодов, монтируются в герметичные корпуса различных конструкций: штыревые с паяными или прижимными контактами и таблеточные. Основания корпусов штыревого исполнения для силовых тиристоров ничем не отличаются от оснований корпусов для силовых диодов. [19]

Рассмотрим классификацию силовых тиристоров в соответствии со стандартами СЭВ, которые, как уже отмечалось, в СССР вступили в действие с 1 января 1980 г., и с разработанными на их основе отечественными стандартами. [20]

Основные параметры силовых тиристоров, как и силовых диодов, подразделяются на несколько групп, а именно: на параметры по напряжению, току, сопротивлению и мощности потерь и по коммутационным явлениям. Как и для силовых диодов, значения одних параметров являются предельно допустимыми, значения же других параметров являются характеристиками тиристоров. [21]

Основные параметры силовых тиристоров и их буквенные обозначения приведены ниже. [22]

Принудительное гашение силовых тиристоров на вторичной стороне силового трансформатора в схеме выпрямления трехфазная звезда с нулевым выводом позволяет гасить ток короткого замыкания за 0 7 мс. [23]

При отпирании силового тиристора 77 образуется колебательный контур перезаряда конденсатора 77, Д2, L /, С и напряжение на нем принимает полярность, указанную на рис. 2 - 18, а. Для запирания силового тиристора включается вспомогательный тиристор ТГ. После запирания тиристора 77 конденсатор вновь перезаряжается по цепи нагрузки до тех пор, пока напряжение на нем не станет равным U. В момент запирания 77 должен быть включен вспомогательный тиристор ТГ. Форма выходного напряжения и тока в нагрузке для этих схем приведена на рис. 2 - 13, в. Все это существенно ограничивает диапазон регулирования выходного напряжения и тока и не позволяет выбрать достаточно высокую частоту коммутации. [24]

Параллельно-последовательное соединение силовых тиристоров целесообразно применять в высоковольтных ШИП при больших частотах коммутации цепи нагрузки. Такие ШИП обладают обычно повышенной коммутационной устойчивостью к внезапным изменениям входного сигнала. В этом случае источник питания также выполняется m - ступенчатым, а силовой ключ каждой ступени состоит из HI параллельно включенных тиристоров. Общее число силовых тиристоров пт пгт желательно выбирать четным. [25]

Особенность расчета лавинных силовых тиристоров заключается в том, что максимально допустимая температура структур этих тиристоров равна обычно 140 С, а температура корпуса, соответствующая предельному току, устанавливается равной 100 С. [26]

При включении силового тиристора TPt ток нагрузки протекает по цепи Eai - LKl - ТРг - JRH - La, полярность напряжения на нагрузке изменяется на обратную. [27]

Для управления силовыми тиристорами, применяемыми в регуляторах, требуется система, которая независимо от типа и схемного решения должна обеспечить реализацию общих требований: а) достаточный диапазон изменения угла включения тиристоров при минимальных значениях напряжения и мощности входного сигнала; б) малую инерционность системы; в) надежность работы тиристоров с точки зрения коммутационных перенапряжений и ложных срабатываний. [28]

Для увеличения U современные силовые тиристоры изготавливают из высокоомного кремния, поэтому напряжение пробоя центрального перехода UM достигает величины 500 - Ы 000 в. Для уменьшения коэффициентов передачи эмиттерный переход транзистора п-р - п имеет шунт [12], а у транзистора р-п - р делают базу с шириной, превышающей диффузионную длину дырок. [29]

Id макс выбираем силовой тиристор типа ВК. [30]

Страницы: 1 2 3 4