Силовой тиристор

Cтраница 3

Все электрические параметры силовых тиристоров определяются свойствами р-п-р-п структур, составляющих основу этих тиристоров. Поэтому под ВАХ силового тиристора в обратном направлении понимают обратную ВАХ р-п-р-п структуры. [31]

Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов. [32]

Указанные р-п структуры силовых тиристоров и диодов реализуются на кремниевых пластинах ( шайбах), которые твердым припоем спаиваются с металлическими пластинами, имеющими близкий к кремнию температурный коэффициент расширения. Одна или обе пластины ( в зависимости от конструкции) соединяются с медными основаниями, через которые осуществляется как электрический контакт с внешней цепью, так и отвод тепловой энергии от прибора с помощью водяного или воздушного охладителя. [33]

Управляющие импульсы на силовых тиристорах m ступеней преобразователя, коммутируемых с частотой / х 1 / 7, сдвинуты во времени относительно друг друга на интервал Т ТУ / га. Коммутирующие устройства в многоступенчатых ШИП должны быть рассчитаны на напряжения одной ступени преобразователя иг U / m, так как при запирании импульс обратного тока через силовой тиристор замыкается по цепи w2Tpm, - Um, Дт, Тт. Питание всех коммутирующих устройств преобразователя может осуществляться от одного вспомогательного источника питания, имеющего нулевую точку. [34]

Комплект установленного оборудования включает силовые тиристоры, систему импульсно-фазового управления, систему автоматического управления, силовой трансформатор, трансформаторы собственных нужд, защитную, коммутационную и контрольно-измерительную аппаратуру. [35]

Переходы j р-п-р-п структур силовых тиристоров по характеру распределения легирующих примесей и степени легирования слоев, образующих эти переходы, практически не отличаются от электронно-дырочных переходов структур силовых диодов. Поэтому все, о чем говорилось в § 1.6 при описании ВАХ силовых диодов в обратном направлении, справедливо и для ВАХ переходов / i четырехслойных структур силовых тиристоров. [36]

Расчетная и J200 Экспериментальная зависимости напряжения WOO. переключения от скоро - сти нарастания напряжения в закрытом состоянии ( точки - эксперимент. [37]

Наибольший интерес для проектирования силовых тиристоров представляет зависимость du / dt - стойкости от сопротивления технологической шунтировки катодного перехода при заданном напряжении переключения. [38]

Распределение примесей в диффузионной р-п-р-п структуре. [39]

Обычно для различных типов силовых тиристоров толщина катодного слоя WПг колеблется в пределах от 10 до 30 мкм, толщина базового слоя WP, - от 25 до 100 мкм, толщина анодного слоя WPl - от 50 до 125 мкм, а толщина базового слоя Wn-от 100 - 150 мкм для низковольтных до 500 - 700 мкм для высоковольтных тиристоров. Толщины диффузионных слоев pit pz и п2 регулируются обычно временем и температурой диффузии соответствующих примесей, а толщина базового слоя Hi - выбором толщины исходной кремниевой пластины. Расчет толщины исходной кремниевой пластины проводят обычно следующим образом. Сначала определяют значение удельного сопротивления исходного кремния, удовлетворяющее требуемому значению напряжения переключения тиристора. [40]

Фаски р-п-р-п структур. [41]

Для защиты р-п-р-п структур силовых тиристоров от поверхностного пробоя, как и для силовых диодов, используются фаски. [42]

Типичный вариант конструкции корпуса силового тиристора с прижимными контактами и с центральным расположением управляющего электрода представлен на рис. 10.17. Такая конструкция наиболее часто применяется при диаметрах полупроводниковых структур тиристоров от 16 - 18 до 32 мм включительно. Корпус тиристора представляет собой шестигранное медное никелированное основание 1 со шпилькой. Стальная манжета 3 соединена с керамическим изолятором 6 путем высокотемпературной пайки. Медная трубка 13 имеет посередине перегородку. Внутренний основной вывод 14 медный, никелированный, с прорезями для уменьшения его жесткости. Верхним концом силовой вывод 14 входит в трубку 15 крышки корпуса. [43]

Шестигранные основания 1 корпусов силовых тиристоров имеют такие же размеры под ключ, как и основания корпусов диодов, а именно: 11, 14, 17, 22, 27, 32 и 41 мм. [44]

Типичные значения времени включения силовых тиристоров колеблются от долей микросекунды до десятков микросекунд. [45]

Страницы: 1 2 3 4