Ток - канал
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора. [1] |
Ток канала в полевых транзисторах определяется основными носителями. Вследствие этого в рассматриваемых схемах с полевыми транзисторами можно не учитывать диффузионные запаздывания и частотные свойства схем определяются внутренними и внешними емкостями и крутизной. [2]
 |
Схема воспринимающей части Вокодера.| Схема воспроизводящей части Вокодера. [3] |
Генератора управляется токами канала 0 таким образом, что она совпадает с основной частотой на передающей стороне. Кроме того, токи канала 0 управляют реле R и подключают гармонический генератор взамен генератора шума к воспроизводящему устройству всякий раз, когда на передающей стороне становится заметным основное колебание. [4]
Число инжектированных электронов пропорционально току канала, составляющему несколько миллиампер. Так как напряжение на управляющем затворе выше, чем на стоке, в диэлектрике существует вертикальная составляющая вектора напряженности электрического поля, благодаря которой инжектированные в окисел электроны дрейфуют к плавающему затвору и накапливаются на нем. Ток через диэлектрик очень мал ( единицы пикоампер), поэтому время программирования одного элемента памяти весьма велико ( около 1 мс) и на 4 порядка превышает время считывания. [5]
Управление сечением канала ( и соответственно током канала / к) производится с помощью обратно включенного р-п перехода ( участок затвор - исток), поэтому входное сопротивление оказывается очень большим, что выгодно отличает данный полупроводниковый прибор от биполярного транзистора. Малый обратный ток управляющего р-п перехода к процессу управления непосредственного отношения не имеет. [6]
 |
Кривые обратного тока через электронно-дырочный переход при отсутствии ( / и наличии ( 2 канала.| Направление тока в канале. [7] |
Определим связь между приложенным напряжением и током канала, когда проводимость канала велика. На рис. 7 - 15 указано направление тока в канале и положение координатных осей. [8]
При изменении напряжения на стоке и затворе ток канала изменяется. С ростом тока растет омическое падение напряжения на сопротивлении канала. Полярность этого напряжения такова, что-оно противодействует полю затвора. Когда поле уменьшится до-такой величины, что инверсный слой уже не возникает, канал переходит в состояние насыщения, и ток стока / 0 перестает зависеть-от f / си. [9]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора. [10] |
Основными недостатками полевых транзисторов являются температурная нестабильность тока канала ( стока) и сравнительно малая крутизна. [11]
 |
Классификация и условные графические обозначения полевых транзисторов. [12] |
Полевым транзистором называют электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, возникающим с приложением напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний. [13]
На самом деле полного перекрытия канала и отсечки тока канала не происходит. [14]
На самом деле полного перекрытия канала и отсечки тока канала не происходит. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5