Ток - канал
Cтраница 3
При этом в частотных характеристиках затухания трактов с обоими типами присоединения может быть резонансное увеличение затухания вблизи некоторой резонансной частоты, обусловленное, как и в случае тракта по нетранспонированной линии, интерференцией токов междуфазных каналов на приемном конце линии. Резонансные частоты для трактов с оптимальными схемами присоединения лежат всегда выше резонансных частот для трактов с неоптимальными схемами и в большом числе случаев лежат за пдеделами используемого частотного диапазона. [31]
 |
Схема фотоэлектрического колориметра для количественного. [32] |
Чтобы регистрировать часть фототока, пропорциональную коротковолновой составляющей х, часть анодного тока канала z ( X) ответвляется и направляется через цепь, состоящую из переменного сопротивления в 100 ком, германиевого детектора ( 1N34) и микроамперметра, регистрирующего ток канала л: ( А. [33]
 |
Эквивалентная схема модели [ IMAGE ] Эквивалентная схема мо - МДП-транзистора для малого сигнала дели МДП-транзистора для большого сигнала. [34] |
Для приближенных расчетов достаточна упрощенная модель МДП-транзистора ( рис. 10.7) для малых сигналов, в которой не учитывается влияние объемных сопротивлений стока ( с), затвора ( з) и подложки ( п), а также воздействие подложки на изменение тока канала. [35]
Как следует из рис. 5.16, при малых токах этот коэффициент отрицателен, а при больших-по лежите лен. При токе канала IDZ он равен нулю. [37]
Генератора управляется токами канала 0 таким образом, что она совпадает с основной частотой на передающей стороне. Кроме того, токи канала 0 управляют реле R и подключают гармонический генератор взамен генератора шума к воспроизводящему устройству всякий раз, когда на передающей стороне становится заметным основное колебание. [38]
Групповое и линейное оборудование ( преобразо. Пройдя линейный тракт, токи каналов поступают в приемное групповое оборудование, где вновь усиливаются ( и, если необходимо, преобразуются по частоте), а затем подаются на вход индивидуального оборудования. Здесь полосные фильтры ПФ каждого канала пропускают токи этих каналов к их демодуляторам ДМ, на выходе которых появляется исходный нч сигнал. [39]
В зависимости от типа носителей заряда различают транзисторы с п-каналом пли р-каналом. В n - канальных ток канала обусловлен направленным движением электронов, а / - канальных - дырок. В связи с этой особенностью полевых транзисторов их иногда называют также униполярными. Это название подчеркивает, что ток в них образуют носители только одного знака, что и отличает полевые транзисторы от биполярных. [40]
 |
Случаи замыкания выхода инвертора КМОП с питающими. [41] |
Ток короткого замыкания и рассеиваемая мощность быстро увеличиваются с ростом напряжения питания. Благодаря отрицательному температурному коэффициенту тока канала МОП-транзисторов они обладают внутренней кратковременной защитой от перегрева. [42]
Частотная характеристика затухания линии в трактах второго типа представляет собой кривую с резонансным увеличением среднего значения затухания и неравномерности затухания вблизи некоторой резонансной частоты. Такой характер частотной характеристики затухания вызывается интерференцией токов различных междуфазных каналов на приемном конце линии из-за разного значения коэффициентов фазы этих волновых каналов. [43]
При дальнейшем увеличении напряжения стока горловина удлиняется и на ней падает все дополнительное напряжение стока, сверх того значения, при котором произошло условное перекрытие канала. В результате происходит не отсечка, а лишь ограничение тока канала / K const, т.е. этот ток становится практически независимым от [ / си. [44]
При дальнейшем увеличении напряжения стока горловина удлиняется и на ней падает все дополнительное напряжение стока, сверх того значения, при котором произошло условное перекрытие канала. В результате происходит не отсечка, а лишь ограничение тока канала / к const, т.е. этот ток становится практически независимым от / си. Такой процесс называется насыщением, а напряжение и ток, при котором он возникает - соответственно напряжением насыщения t / синас и током насыщения / кнас. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5