Ток - канал
Cтраница 2
Итак, у всех типов полевых транзисторов управление током канала практически не требует тока от цепи управления, так как канал отделен от затвора или изолятором, имеющим сопротивление 10Х - 1Q12 Ом, или закрытым р - n - переходом, имеющим сопротивление 108 - 109 Ом. Отсюда видна возможность усиления мощности сигналов. [16]
Торцовый 10 и боковой 2 катоды имеют независимое электрическое питание, позволяющее регулировкой тока канала катодных нитей в широких пределах изменять величину тока электронной эмиссии. Геометрия электродов ( в системе: торцовый катод - торец образца) позволяет собрать электронный пучок на торце образца и подавить вторичную эмиссию с него. Электроны, эмитированные боковым катодом 2, бомбардируют боковую поверхность образца. Работа того или иного катода или их комбинации позволяет реализовать либо режим всестороннего нагрева образца, необходимый для определения степени черноты, либо режим торцового нагрева, необходимый для изучения коэффициента теплопроводности. Условием, обеспечивающим возможность количественного определения подведенной к образцу энергии по измерениям электрических параметров ( ускоряющего напряжения и тока эмиссии), является исключение возможности перераспределения вторичных электронов между образцом и элементами системы его крепления. [17]
Крутизна входной характеристики S или проводимость прямой передачи тока FZI указывает, на сколько миллиампер изменяется ток канала при изменении входного напряжения между затвором и истоком на 1 В. Поэтому значение крутизны - входной характеристики определяется в мА / В, так же как и крутизна характеристики радиоламп. Современные полевые транзисторы имеют крутизну от десятых долей до десятков и даже сотен миллиампер на вольт. Очевидно, что чем больше крутизна, тем большее усиление может дать полевой транзистор. Но большим значениям крутизны соответствует большой ток канала. Поэтому на практике обычно выбирают такой ток канала, при котором, о одной стороны, достигается требуемое усиление, а с другой - обеспечивается необходимая экономичность в расходе тока. [18]
 |
Схема работы полевого транзистора. [19] |
Если учесть, что ток, протекающий через запертый р-п переход, очень мал по сравнению с током канала, то становится ясной возможность усиления приложенного к затвору сигнала по напряжению и мощности. [20]
Учет зависимости модуляции длины канала транзистора и подвижности носителей от напряжений на выводах транзистора в выражениях для определения тока канала позволяет, таким образом, повысить точность моделей. [21]
Возможны случаи разогрева канала проходящим током, что может привести к локализованному пробою, а следовательно, и к увеличению тока канала. [22]
И наоборот, если к затвору приложить отрицательный заряд, то концентрация электронов в канале уменьшится и, следовательно, уменьшится ток канала. [23]
Поэтому в мощных насосах между полюсными наконечниками и каналом помещаются шины ( компенсационная обмотка), которые включаются последовательно в цепь тока канала во встречном направлении. Обмотка возбуждения электромагнита ( на рис. 11 - 16 не показана) обычно включается последовательно в цепь тока канала и имеет при этом только 1 - 2 витка. [24]
Поэтому в мощных насосах между полюсными наконечниками и каналом помещаются шины ( компенсационная обмотка), которые вдлючаются последовательно в цепь тока канала во встречном направлении. [25]
Это объясняется тем, что определяемое выражением ( 2 - 7) пороговое напряжение характеризует условия сильной инверсии поверхностной проводимости, когда ток канала на много порядков превышает ток смещенного в обратном направлении / 7-я-перехода стока. Однако в некотором диапазоне напряжений на затворе, меньших ( по абсолютному значению) порогового, ток в цепи стока закрытого транзистора все еще значительно превышает ток утечки обратно смещенного р-я-пере-хода. [26]
При высоких рабочих температурах может сказываться влияние обратного тока стокового перехода / со, который увеличивается с ростом температуры, суммируясь с током канала. [27]
Принцип действия полевых транзисторов с затвором Шоттки рассмотрен ранее в разделе 3.4. Усиление по напряжению и мощности в этих приборах основано на управлении током канала за счет изменения ширины канала и достигается в результате использования эффекта изменения толщины слоя пространственного заряда диода Шоттки при приложении напряжения к управляющему электроду. [28]
 |
Упрощенная малосигнальная модель униполярного транзистора.| Модель униполярного транзистора для расчета отклонений токов и напряжений от номинальных значений. [29] |
Для практических расчетов обычно используется упрощенная модель ( рис. 2.16), в которой пренебрегают влиянием объемных сопротивлений гс, г3, гпд, а также изменением тока канала, вызываемым действием подложки. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5