Ток - база
Cтраница 2
 |
Статические характеристики токов коллектора и базы 1щлупроводнико.| Идеализированные статические характеристики полупроводникового триода. [16] |
Ток базы наблюдается по всей рабочей области характеристик коллекторного тока. [17]
Ток базы, протекая через этот резистор, будет создавать на нем падение напряжения, и на базе будет действовать напряжение нужной величины и полярности. [18]
Ток базы определяется обратным сопротивлением диода плоскостного типа, которое с увеличением температуры уменьшается, а с уменьшением температуры увеличивается. Следовательно при увеличении температуры увеличивается ток в цепи диода и ток базы транзистора. Увеличивается ток, потребляемый транзистором от источника питания и падение напряжения на сопротивлении Rl. В результате этого автоматически увеличивается ток нагрузки источника литания. Напряжение на выходе источника питания автоматически уменьшается. При понижении температуры процесс протекает в обратном направлении. Для увеличения пределов изменения напряжения желательно вместо диода или еще лучше параллельно диоду включать термосопротивление типа ММТ или КМТ. [19]
 |
Векторные диаграммы токов и напряжений транзистора. а - на низких частотах. 6 - на высоких частотах. [20] |
Ток базы, представляющий собой геометрическую разность токов эмиттера и коллектора, образуется той частью носителей ( дырок в триодах типа р-п - р), которые рекомбиннруют внутри базы. [21]
Ток базы является обратным ( вытекает из базы), его значение близко к / ио. [22]
Ток базы должен быть достаточно большим для ускорения процессов переключения, что создает сложности в построении цепи управления транзистором. [23]
Токи базы определяются для области / через заданное минимальное значение A2ia и ток 1кМ, для области / / ( как показывает эксперимент) их можно принять с еще большим основанием равными импульсному току коллектора. Таким образом, следует считать, что токи базы не ограничивают режима транзистора по коллектору. [24]
Ток базы такого транзистора замыкается через базовую обмотку трансформатора, конденсатор С и входное сопротивление насыщенного транзистора гбн. [25]
Ток базы может иметь положительное ( показанное на схеме) или отрицательное направление в зависимости от соотношения между рекомбинационным током и обратным током коллектора. [26]
 |
Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [27] |
Ток базы вызывает появление продольной составляющей падения напряжения в объеме материала базы, направленной от центральной части эмиттерного перехода к выводу базы. Наибольшим сопротивлением обладает тонкий слой базовой области, расположенный между эмиттерным и коллекторным переходами. [28]
Токи баз этих транзисторов и ток коллектора транзистора Т2 протекают по общему резистору Rs. Вместо терморезистора нередко применяют германиевый диод в прямом включении. [29]
Ток базы регламентируется только для транзисторов большой и средней мощности. При работе в импульсном режиме и в режиме переключения при насыщении токи электродов мо-гуть быть значительно больше указываемых средних значений в статическом режиме. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5