Ток - база
Cтраница 4
Ток базы регламентируется только для транзисторов большой и средней мощности. При работе в импульсном режиме и в режиме переключения при насыщении указанные в таблицах максимально допускаемые импульсные токи электродов могут быть значительно больше средних значений в статическом режиме. [46]
Ток базы для открытого состояния триггера отличается от тока для закрытого состояния из-за неоднозначности входной характеристики. [47]
Ток базы в режиме отсечки течет в направлении, противоположном тому, которое он имеет в активном режиме и которое принято за положительное. [48]
Ток базы, ограничиваемый сопротивлением R6, во много раз меньше коллекторного, который проходит через транзистор только при наличии тока базы и напряжения между эмиттером и коллектором. С увеличением тока управления увеличивается и основной ток. Если напряжение между эмиттером и базой равно нулю, то ток базы тоже будет равен нулю, и, следовательно, коллекторный ток не возникает даже при наличии разности потенциалов между эмиттером и коллектором. В этом случае говорят, что транзистор закрыт. [49]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. [50]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заметно превосходит равновесную. [51]
 |
Начальная область характеристик ( а и графики, поясняющие ход характеристик ( б. [52] |
Ток базы Г Б при МБ 0 оказывается отрицательным. [53]
 |
Схема генератора при параллельном. [54] |
Ток базы обычно много меньше максимально допустимого значения, поэтому необходимость осуществлять его постоянный контроль, как правило, отпадает. [55]
Ток базы запертого транзистора складывается из токов обоих переходов, однако часто можно считать его приблизительно равным току коллекторного перехода, так как запирающее напряжение на этом переходе обычно значительно больше, чем на эмиттерном, и одновременно теоретический ток в эмиттере значительно меньше, чем в коллекторе. [56]
Ток базы насыщенного транзистора замыкается через базовую 5.120 обмотку трансформатора, конденсатор С и входное сопротивление насыщенного транзистора гбн. [57]
Ток базы биполярных триодов значительно больше тока затвора полевых триодов, управление которыми осуществляют, меняя напряжение между затвором и истоком. [58]
Если ток базы рассматривать как реком бинационный, то ток коллектора будет представлять сквозной ток эмиттерного перехода. [59]
Для тока базы, равного нулю, вольт-амперная характеристика идентична характеристике триода при диодном включении, когда участии характеристики, соответствующие большому и малому сопротивлениям, разделены участком, на котором дифференциальное сопротивление прибора отрицательно. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5