Ток - база
Cтраница 3
 |
Векторная диаграмма токов триода. [31] |
Ток базы, являющийся входным током в схеме с общим эмиттером, является разностным током между током эмиттера и током коллектора. [32]
Ток базы, обусловленный рекомбинацией носителей в ее объеме и на поверхности, можно также найти из распределения носителей. Обычно концентрация инжектированных носителей заряда заметно превосходит равновесную. [33]
 |
Движение носителей зарядов ( а и токи в транзисторе ( б. [34] |
Ток базы / в представляет собой разность управляющего и управляемого токов ( ток рекомбинации дырок в базе); основные носители базы - электроны при компенсации движения дырок через эмиттерный и коллекторный переходы движутся в выводе базы в различных направлениях. [35]
Ток базы может быть определен как разность токов эмиттера и коллектора. [36]
Ток базы / Б задается от генератора тока. Эти характеристики существенно отличаются от выходных ВАХ транзистора с ОБ. Рассмотрим теоретическое выражение (2.3), описывающее выходные характеристики транзистора с ОЭ. Во-первых, обратный ток коллектора при разомкнутой базе / Б 0 определяется выражением / Ko-W - - а) / Ко ( Р 1) и намного превышает обратный ток коллектора транзистора с ОБ. Такое возрастание обратного тока обусловлено наличием положительной обратной связи в транзисторе. Дело в том, что напряжение t / кэ распределяется между коллекторным и эмиттерным р-п переходами, вызывая дополнительное смещение эмиттерного р-п перехода в прямом направлении. В результате этого первичные токи, протекающие через коллекторный р-п переход, оказываются увеличенными в р 1 раз. Следует заметить, что по этой причине выходная проводимость ( и емкость) транзистора с общим эмиттером при наличии генератора тока в цепи базы оказывается увеличенной в f - f - l раз. Это приводит к наличию заметного наклона выходных ВАХ в пологой области. [37]
Ток базы определяется разностью токов от напряжения UBI через резистор RI в направлении открытия триода и от напряжения смещения Ес через резистор RQ в направлении закрытия. Режим насыщения обеспечивается при достаточно большом напряжении вх, отрицательном по отношению к потенциалу эмиттера. [38]
 |
Движение носителей зарядов ( а и токи в транзисторе ( б. [39] |
Ток базы / в представляет собой разность управляющего и управляемого токов ( ток рекомбинации дырок в базе); основные носители базы - электроны при компенсации движения дырок через эмиттерный и коллекторный переходы движутся в выводе базы в различных направлениях. [40]
Ток базы может быть определен как разность токов эмиттера и коллектора. [41]
Ток базы является обратным ( вытекает из базы), его значение близко к / ко. [42]
Ток базы равен разности токов эмиттера и коллектора: 1Б - 1э - 1к - Таким образом, в рассматриваемом режиме ( называемом активным) через БТ протекает сквозной ток от эмиттера через базу к коллектору. Незначительная часть эмиттерного тока ответвляется в цепь базы. [43]
 |
Схема к задаче. [44] |
Ток базы пренебрежимо мал. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5