Ток - переход
Cтраница 2
Во время положительной полуволны входного напряжения возникает ток эмиттер-ного перехода ( имеющий форму отрезка синусоиды) и одновременно ток в коллекторной цепи, повторяющий форму входного тока. [17]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [18] |
Однако следует заметить, что помимо изменения токов переходов / КБО, / Кэо, / КБК для транзисторов характерно и изменение коэффициента передачи, связанное с изменением скорости поверхностной рекомбинации. [19]
Однако следует заметить, что помимо изменения токов переходов / КБЗ, - А о 1къо Для транзисторов характерно и изменение коэффициента передачи, связанное с изменением скорости поверхностной рекомбинации. [20]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [21] |
Однако следует заметить, что помимо изменения токов переходов / КБО, / кэо, / КБК Для транзисторов характерно и изменение коэффициента передачи, связанное с изменением скорости поверхностной рекомбинации. [22]
 |
Обобщенная зависимость интенсивности отказов транзисторов от нормализованной температуры при различных отношениях рабочей мощности рассеяния к максимально допустимой мощности на коллекторе. [23] |
Однако следует заметить, что помимо изменения токов переходов / КБО, / кэо, / КБК для транзисторов характерно и изменение коэффициента передачи, связанное с изменением скорости поверхностной рекомбинации. [24]
Если уменьшить расстояние между переходами W, то ток правого перехода при том же самом напряжении смещения на нем будет возрастать за счет появления возле перехода дополнительных неосновных носителей, введенных в n - область. Чем меньше расстояние между переходами, тем меньшее количество неравновесных носителей будет рекомбинировать в объеме и тем большее их количество будет достигать правого перехода, что будет приводить к увеличению тока этого перехода. [25]
При малых перенапряжениях, когда iinlC RT / zF, ток перехода in связан с перенапряжением линейно т ] п гп-7. [26]
При этом тепловой режим перехода теряет устойчивость, температура и ток перехода неограниченно растут, возникает тепловой пробой. [27]
К общим недостаткам всех двухсекционных моделей транзистора относятся неучет вытеснения токов переходов и допущение об одинаковом характере распределения неосновных носителей в базе для любого момента времени, что вносит определенную погрешность в вычисляемые значения задержки включения транзистора. Более точного определения задержки включения можно достигнуть применением многосекционных моделей при увеличении количества секций базы в направлении от эмиттерного к коллекторному переходу, а учет явления вытеснения токов достигается многосекционным представлением базы вдоль границ переходов. Здесь необходимо отметить, что повысить точность определения задержки включения можно и в рамках модели Эберса - Молла, если использовать двухполюсную аппроксимацию частотных зависимостей а и аи. [28]
 |
Устройство фототранзистора ( а и способы его включения ( б, в. [29] |
Если облучения нет ( состояние темноты), диффузионный и дрейфовый токи р-п перехода уравновешиваются. [30]
Страницы: 1 2 3 4