Ток - переход
Cтраница 4
 |
Схема однотранзисторного ЗЭ динамического ЗУПВ ( а и временные диаграммы, поясняющие его работу ( б. [46] |
Отметим, что при считывании информации не происходит ее разрушения, поскольку запоминающая емкость С изолирована от шины РШсч - Однако существование утечек, обусловливаемых в основном током обратносмещенного перехода транзистора 7, приводит к необходимости периодической регенерации заряда на емкости С. Регенерация хранимой информации осуществляется в результате последовательно проводимых режимов считывания и записи. [47]
У дрейфовых транзисторов т может быть больше; гк - сопротивление коллекторного перехода; Ск-емкость коллекторного перехода; гэ - сопротивление эми-терного перехода; / Э0 - постоянная составляющая тока эмитерного перехода; Сэ - диффузионная и переходная емкость эмиттера; Гб - сопротивление базы. [48]
Вольт-амперная характеристика диода в режиме теплового пробоя соответствует кривой б на рис. 3.4. Она имеет падающий характер, так как вследствие повышения температуры перехода концентрация носителей заряда в нем резко увеличивается и электрическое сопротивление перехода уменьшается относительно быстрее, чем растет ток перехода. [49]
При этом коллекторный ток транзистора ничтожно мал, так как обратное сопротивление перехода велико. Ток перехода в этом случае определяется главным образом величиной включенной части переменного сопротивления Ri, так как прямое сопротивление перехода весьма мало. [50]
 |
Схема регулятора напряжения 2 36. [51] |
Отличием схемы регулятора 201.370 2 является то, что стабилитрон расположен не в базовой, а в эмиттерной цепи входного транзистора VTI. Поскольку транзистор VTI открывается током перехода эмиттер - база, то на принцип работы регулятора перенос стабилитрона из базовой цепи в эмиттерную влияния не оказывает. Однако, поскольку сила тока в эмиттерной цепи больше, чем в базовой, этот перенос способствует более стабильной работе регулятора напряжения по уровню поддерживаемого им напряжения. [52]
Прежде чем получить полную плотность тока перехода, необходимо найти плотности электронных токов. [53]
Случаи, когда концентрация неравновесных носителей в средней области соответствует этому неравенству, называются случаями низких или малых уровней инжекции. Для известных толщин средней области, тока левого перехода, его площади и концентрации равновесных носителей средней области плотность инжекции может быть вычислена интегрированием уравнения для плотности тока неравновесных носителей. [54]
Показано, что, действуя аналогично повышению концентрации сульфат-ионов и температуры, перемешивание электролита в прикатодном слое ускоряет реакцию неполного восстановления Сг5 - - Сг3, контролируемую диффузионными ограничениями. Установлено [3], что зависимость между током перехода от первой ко второй ветви поляризационной кривой и числом оборотов катода в степени 1 / 2 имеет более сложный, чем линейный, характер. [55]
При этих напряжениях прямой ток может уменьшаться с ростом температуры. В этом случае с ростом температуры прямой и обратный токи р-п перехода изменяются неодинаково, и это приводит к уменьшению коэффициента выпрямления. [56]
Основными причинами, обусловливающими выход из строя силовых вентилей в электроприводах, являются короткие замыкания, длительные токовые перегрузки, прорывы инвертора и электрические пробои вентилей. Как отмечалось выше, вследствие малой теплоемкости и высокой плотности тока р-п перехода силовые вентили способны выдерживать токи, превышающие номинальные, в течение очень короткого промежутка времени при условии, что / к. [57]
При работе в импульсном режиме на характер переходных процессов влияет зарядная емкость перехода. Подобно конденсатору, р-п переход разряжается или заряжается, вызывая изменение тока перехода. [58]
Вся структура вместе с управляющим электродом наносится на изолированную экранирующую плоскость. Информация записывается в этой структуре при пропускании тока / А, несколько меньшего максимального джозефсонов-ского тока перехода / г от С к D ( или от D к С при дополнении) при наличии в переходе магнитного поля, генерируемого током управляющего электрода. При этом большая часть тока проходит по пути CBD. [59]
При увеличении обратного напряжения ток через переход приближается к постоянному значению / 0 ( Ipg Ing), названному током насыщения, или тепловым током. Термин ток насыщения связан с тем, что при обратном напряжении U0 kTlq ток перехода равен / и не зависит от приложенного напряжения. Термин тепловой ток обусловлен сильной зависимостью тока от температуры, а также тем, что он равен нулю при температуре Т 0 К. Поэтому ток / о остается постоянным в широком интервале обратных напряжений и зависит только от параметров полупроводника и температуры. [60]
Страницы: 1 2 3 4