Ток - переход
Cтраница 3
При W С L почти все неравновесные носители заряда, образующие ток левого перехода, достигнут правого перехода. [31]
Этот прием применили Фрумкин и Тедорадзе а 7 при определении плотности тока перехода г при замедленном протекании реакции перехода в условиях потенцио-стэтического включения. [32]
Начальные и конечные состояния частицы в этом приближении одинаковы, так что ток перехода становится диагональным матричным элементом и функция р ( г) приобретает реальный смысл пространственного распределения зарядов. [33]
В этом можно убедиться, рассматривая токи (142.7) - (142.9) как компоненты Фурье тока перехода в координатном представлении. [34]
 |
Схема и основные характеристики триода с общим эмиттером. [35] |
Фт - температурный потенциал, физическая константа: при определенном напряжении на переходе определяет ток перехода, зависит только от окружающей температуры, например при 20 С фт 0 025 в; неравенство - ик фт считают [6.12] выполненным при ик ( 3 - 4) фт. [36]
Под действием теплового возмущения валентные электроны переходят в зону проводимости и еще больше увеличивают ток перехода. Такая взаимосвязь может привести к лавинообразному увеличению тока и пробою перехода. Пробивное напряжение при тепловом механизме пробоя уменьшается с ростом температуры окружающей среды. [37]
С другой стороны, физические поляризации глюона ортогональны его импульсу и, следовательно, току перехода. [38]
 |
Телевизионный преобразователь изображения - сканистор - на основе сплошной p - n - р ( п-р - п структуры. [39] |
Эквипотенциальная нулевая линия движется по ска-нистору, осуществляя переключение р-п - р структуры, при этом запорный ток п-р переходов меняет свое направление на обратное. Величина тока через фотодиод в запорном направлении линейно зависит от падающего светового потока. [40]
В этом можно убедиться, рассматривая токи ( 142 7 - 9) как компоненты Фурье тока перехода з координатном представлении. [41]
Кремниевые силовые диоды и тиристоры из-за малого объема; небольшой теплоемкости вентильного элемента и высокой плотности тока р-п перехода обладают повышенной чувствительностью к токовым перегрузкам. В то время как постоянная времени нагрева обмоток трансформаторов или электродвигателей определяется десятками минут, для кремниевого силового вентиля она составляет сотые доли секунды. Следовательно, защита преобразователя от перегрузки должна быть быстродействующей. [42]
Кремниевые силовые диоды и тиристоры ввиду малого объема, небольшой теплоемкости вентильного элемента и высокой плотности тока р-п перехода обладают повышенной чувствительностью к токовым перегрузкам. Если постоянная времени нагрева обмоток трансформаторов или электродвигателей равна десяткам минут, то для кремниевого диска силового вентиля она составляет сотые доли секунды. [43]
Кбо мал и поверхностная составляющая обратного тока коллектора у кремниевых приборов может иметь величину, сравнимую с объемной составляющей тока р-п перехода, и далее превышать ее, маскируя зависимость объемной составляющей / Кбо от температуры. [44]
Эта его роль наглядно проявляется в положении, занимаемом им в амплитуде рассеяния электронов, куда ZVv входит умноженный на токи переходов двух частиц. Аналогичную роль играет электронный пропагатор во взаимодействии электрона и фотона. [45]
Страницы: 1 2 3 4