Ток - термогенерация
Cтраница 2
Заметим, что у кремниевых диодов ток термогенерации является главным компонентом обратного тока при комнатной температуре. [16]
Расчет показывает, что для кремниевых приборов ток термогенерации преобладает над тепловым током до температуры Т 300 К, а при Т 373 К и выше доминирует тепловой ток. [17]
У германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль при отрицательных температурах. [18]
 |
Выходные характеристики транзистора и временная диаграмма напряжения коллектора. [19] |
Для германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль лишь при отрицательных температурах. [20]
 |
Прямые характеристики реальных диодов - германиевого и кремниевого - в полулогарифмическом масштабе. Цифры характеризуют наклон кривых. [21] |
Из § 2 - 6 известно, что в равновесном состоянии токи термогенерации и рекомбинации в переходе взаимно компенсируются. [22]
 |
Прямые характеристики реальных диодов - германиевого и кремниевого - в полулогарифмическом масштабе. Цифры характеризуют наклон кривых. [23] |
Из § 2 - 6 известно, что в равновесном состоянии токи термогенерации и рекомбинации в переходе взаимно компенсируются. При прямом смещении перехода крутизна потенциального барьера уменьшается и носители, не способные преодолеть барьер ( см. рис. 2 - 6), проникают в переход гораздо глубже. [24]
 |
Статические характеристики транзистора при включении по схеме с общим эмиттером. [25] |
У кремниевых транзисторов при температуре до 100 С главную роль играет ток термогенерации / о, а не тепловой ток / ко; температура удвоения тока / о составляет около 10 С. [26]
При увеличении обратных напряжений обратный ток почти равномерно возрастает за счет токов термогенерации и утечки. В довольно широкой предпробойной области характеристики становится заметным эффект размножения носителей за счет ударной ионизации. В области пробоя характеристика имеет участок с отрицательным сопротивлением. Вследствие малой площади перехода снижаются допустимая мощность рассеяния ( до 10 мет) и емкость перехода. Величины допустимых прямых токов точечных диодов не превышают 10 - 20 ма. Превышение допустимого тока приводит к переформовке и выходу контакта из строя. [27]
 |
Генератор с повторительной следящей связью. а - принципиальная схема. б - временные диаграммы. [28] |
Конечно, под / ко понимается полный обратный ток коллектора, включая ток термогенерации и ток утечек. [29]
При комнатной температуре ток термогенерации германиевых переходов меньше тока насыщения, а ток термогенерации кремниевых переходов может превышать на несколько порядков ток насыщения п разница между реальной и расчетной величинами обратного тока кремниевого перехода даже при малых обратных напряжениях достигает 2 - 3 порядков величины. Поэтому различие в обратных токах у германиевых и кремниевых переходов не так велико. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5