Cтраница 5
![]() |
Структура р-я перехода в отсутствие ( а и при наличии ( б и в поверхностного канала. Базовая граница перехода показана точками. [61] |
Заметим, что наличие поверхностных уровней не всегда сопровождается образованием канала. При недостаточной плотности этих уровней образуется только обедненный слой, что равносильно простому увеличению площади р-п перехода. Соответственно увеличатся и ток термогенерации, и тепловой ток; если последний превалирует ( у германиевых диодов), то зависимость обратного тока от напряжения будет отсутствовать. Тогда вблизи поверхности просто будет повышенное удельное сопротивление базы и, значит, в этой области ширина перехода будет больше, чем вдали от поверхности. [62]