Ток - термогенерация
Cтраница 3
Обратный ток / обр р-л-перехода представляет собой сумму тока насыщения / нас и тока термогенерации. [31]
Причина этого отклонения заключается в том, что наряду с тепловым током в обратном направлении протекают токи термогенерации и утечки. [32]
 |
Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [33] |
У кремниевых транзисторов при температуре до 100 С главную роль играет не тепловой ток / к0, а ток термогенерации / Q, температура удвоения которого составляет около 10 С. [34]
Дробовой шум на низких частотах, Через р-п переход проходят токи различной природы: диффузионный ( термоэлектронный), ток термогенерации в слое объемного заряда [47], токи, утечки и др. Основным током обычно является диффузионный. Остальные токи в процессе производства приборов стараются по возможности снизить. [35]
 |
Временные диаграммы работы мультивибратора. [36] |
Строго говоря, помимо теплового тока, следовало бы учесть еще сопротивление, свойственное запертому переходу и обусловленное утечками, током термогенерации ( зависящим от напряжения) и другими причинами. [37]
С / проб обратной ветви характеристики не постоянен и равен /, и немного увеличивается при росте обратного напряжения, что вызвано наличием тока термогенерации и тока утечки, в частности утечки по поверхности кристалла и герметизирующего корпуса. [38]
Электрическое поле, которое всегда есть в переходе, быстро уносит генерируемые носители в соответствующий слой диода, что вызывает протекание некоторого тока - тока термогенерации IQ. Ток рекомбинации обусловлен теми носителями, которые непрерывно проникают в переход из эмиттера и базы, но не имеют достаточной энергии, чтобы перейти в смежный слой. Вблизи точки отражения ( см. рис. 2 - 6) такие носители имеют малую скорость и успевают рекомбиниро-вать. [39]
Помимо теплового тока, который у кремниевых транзисторов практически отсутствует, следовало бы учесть еще сопротивление, свойственное запертому переходу и обусловленное утечками, током термогенерации ( зависящим от напряжения) и другими причинами. Методика учета этого сопротивления будет показана в § 20 - 2 применительно к блокинг-генератору. [40]
Для схемы 1 напряжение пробоя определяется эмиттерным переходом и составляет 5 - 7 В, обратный ток - обратным тепловым током эмиттерного перехода и током термогенерации, причем для кремниевых приборов последний является основным компонентом обратного тока. [41]
Для схемы 2 напряжение пробоя определяется коллекторным переходом и в зависимости от концентрации примесей в коллекторе лежит в пределах 20 - 70 В; обратный ток - обратным тепловым током коллекторного перехода и током термогенерации. [42]
У германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль при отрицательных температурах. [43]
 |
Выходные характеристики транзистора и временная диаграмма напряжения коллектора. [44] |
Для германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль лишь при отрицательных температурах. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5