Ток - вторичная эмиссия
Cтраница 1
Ток вторичной эмиссии, испускаемый / г-м каскадом, равен сумме токов в подводящих проводах фотокатода и всех эмиттеров от 1-го до / г-го включительно. [1]
Величина тока вторичной эмиссии зависит от свойств металла, состояния его поверхности, величины энергии и угла падения первичных электронов. [2]
При этом ток вторичной эмиссии на коллектор возрастает, потенциал облучаемого элемента экрана увеличивается и после снятия напряжения с сигнальной пластины на подвергавшемся облучению участке сохраняется положительный относительно сетки заряд. [3]
 |
Изменение потенциала освещенного ( 1 и неосвещенного ( 2 элементов мозаики. [4] |
Ввиду ненасыщенности фототока и тока вторичной эмиссии значительная часть фотоэлектронов и вторичных электронов возвращается на мозаику, вызывая перераспределение зарядов. Все это определяет сложность количественной теории работы иконоскопа. [5]
Недостатком тетрода является возникновение тока вторичной эмиссии. Электроны, ударяя в анод, выбивают из него вторичные электроны. Каждый первичный электрон может выбить даже несколько вторичных электронов. Такая вторичная эмиссия наблюдается во всех лампах, но в диоде и триоде она незаметна, так как вторичные электроны имеют небольшую скорость и, отлетев недалеко от анода, возвращаются обратно. [6]
 |
Условное обозначение 1 пентодов в схемах. [7] |
При большем увеличении анодного напряжения ток вторичной эмиссии уменьшается, анодный ток начинает возрастать, а ток экранирующей сетки уменьшается. Когда анодное напряжение становится больше напряжения на экранирующей сетке, вторичная эмиссия не прекращается, но она уже не обнаруживается, так как вторичные электроны, выбитые из анода, не достигают экранирующей сетки и возвращаются на анод. [8]
При дальнейшем увеличении анодного напряжения ток вторичной эмиссии уменьшается, а анодный ток снова возрастает. Когда анодное напряжение станет больше напряжения на экранирующей сетке, явление вторичной эмиссии не прекращается, но оно уже не обнаруживается, так как вторичные электроны, выбитые с анода, теперь не летят на экранирующую сетку, а возвращаются на анод. В этом случае наблюдается попадание на анод вторичных электронов, выбитых с экранирующей сетки, за счет которых анодный ток дополнительно возрастает, а ток экранной сетки несколько уменьшается. [9]
Некоторые авторы предлагают контролировать глубину проплавления по пульсациям тока вторичной эмиссии. Переменную составляющую тока вторичной эмиссии с частотой более 200 Гц измеряют и выделяют и по ее амплитуде судят о глубине проникновения пучка. В качестве датчика электронов используют цилиндр Фарадея, ориентированный на зону сварки. [10]
В этой лампе приняты специальные конструктивные меры для устранения тока вторичной эмиссии. Увеличено расстояние между экранирующей сеткой и анодом. Управляющая и экранирующая сетки имеют одинаковое число витков, и они расположены друг против друга, поэтому электроны летят к аноду лучами; Отсюда и название лампы - лучевой тетрод. На рис. 3 - 15 показано устройство лучевого тетрода и его схемное изображение. [11]
 |
Устройство и схема включения ФЭУ ( а, его условное изображение ( б. [12] |
Однако на практике этот коэффициент значительно меньше, так как ток вторичной эмиссии ограничен объемным отрицательным зарядом электронов, сосредоточенным около динодов. [13]
 |
Характеристики тетрода.| Анодные характеристики. [14] |
Описанный выше тетрод наряду с достоинствами имеет и недостаток - возникновение тока вторичной эмиссии, что искажает усиливаемый сигнал. [15]
Страницы: 1 2 3 4