Cтраница 2
Однако лампа 6В1П обладает значительно большим уровнем шумов, определяемым флуктуациями величины тока вторичной эмиссии динодов. [16]
Электроны анода, получив дополнительную энергию, выходят за его пределы, образуя ток вторичной эмиссии. [17]
![]() |
Прибор Стык - Г.| Функциональная схема прибора Стык - Г.| Коллекторы вторичных электронов и ионов. [18] |
Экспериментально установлена сильная зависимость от уровня фокусировки электронного пучка мощностью до 5 кВт частоты пульсаций как ионного, так и электронного токов вторичной эмиссии. Так, при изменении фокусировки электронного пучка постоянной мощности частота пульсаций ионного тока прямо пропорциональна глубине проплавле-ния, а при изменении мощности пучка с неизменной фокусировкой или скорости сварки - обратно пропорциональна. [19]
![]() |
Условное обозначение 1 пентодов в схемах. [20] |
В тетроде же экранирующая сетка находится часто под высоким положительным напряжением, поэтому она притягивает к себе вторичные электроны, что и обусловливает появление тока вторичной эмиссии, уменьшающего анодный ток. [21]
![]() |
Зависимость коэффициента действующей вторичной эмиссии от потенциала мишени при потенциале коллектора Us в пределах. [22] |
А так как потери энергии возбужденных электронов на пути к поверхности тем больше, чем глубже они находятся, то вероятность их выхода уменьшается, и, следовательно, снижается ток полной вторичной эмиссии. [23]
Возвращающиеся на катод электроны кроме дополнительного нагревания катода вызывают вторичную эмиссию, которая играет существенную роль в работе катода. Ток вторичной эмиссии составляет значительную, иногда даже большую часть общего анодного тока. [24]
Некоторые авторы предлагают контролировать глубину проплавления по пульсациям тока вторичной эмиссии. Переменную составляющую тока вторичной эмиссии с частотой более 200 Гц измеряют и выделяют и по ее амплитуде судят о глубине проникновения пучка. В качестве датчика электронов используют цилиндр Фарадея, ориентированный на зону сварки. [25]
Хотя в кривых зависимости силы тока вторичной эмиссии от потенциала и наблюдались перегибы из которых некоторые соответствовали уже известным резонансным и ионизационным потенциалам металла, однако большинство этих перегибов позднее было объяснено как следствие термической обработки и предшествующей истории жизни металлической поверхности и ее физической структуры, а не как отражение свойств металлических атомов. [26]
Такая пятиэлектронная лампа называется пентодом. Ее третья сетка, защищающая от Неблагоприятных последствий-возникновения тока вторичной эмиссии, называется защитной или антидинатронной. Вследствие отрицательного по отношению к аноду потенциала защитной сетки электроны вторичной эмиссии отталкиваются обратно на анод и, таким образом, ток вторичной эмиссии не возникает. [27]
![]() |
Примерная зависимость коэффициента токораспределения тетрода от отношения анодного напряжения к экранному. [28] |
Распределение тока в тетроде может существенно изменяться за счет вторичной электронной эмиссии со второй сетки и анода лампы. При достаточно больших потенциалах второй сетки и анода величина тока вторичной эмиссии может достигать заметных значений, что приводит к искажению характеристик лампы. Вторичные электроны переходят с электрода с меньшим потенциалом на электрод с большим потенциалом. При этом суммарный электронный ток электрода с меньшим потенциалом уменьшается, а ток электрода с большим потенциалом увеличивается. Поэтому зависимости распределения тока от потенциалов электродов можно экспериментально исследовать только при небольших положительных потенциалах электродов, при которых энергия первичных электродов недостаточна для того, чтобы вызвать заметную вторичную эмиссию. [29]
В зависимости от нормируемого параметра, ТУ и ГОСТ предусматривают односторонние, либо двухсторонние допуски. Так, например, токи утечки, ионный ток, ток вторичной эмиссии сетки, емкость анод - сетка, ограничиваются определенной максимальной допустимой величиной. Электронная эмиссия катода, отдаваемая мощность и некоторые другие параметры ограничиваются определенной минимальной допустимой величиной. Анодный ток, крутизна характеристики, ток накала, ток экранирующей сетки, входная и выходная емкости, ограничиваются обычно двухсторонним допуском в пределах от 10 до 30 % от номинального значения. [30]