Ток - вторичная эмиссия
Cтраница 3
При подаче на сигнальную пластину положительного потенциала относительно сетки ( запись 1) ток вторичной эмиссии на коллектор уменьшится и потенциал облучаемого участка также снизится до нового равновесного состояния. После снятия положительного напряжения с сигнальной пластины облучавшийся участок поверхности экрана окажется заряженным отрицательно относительно сетки. [31]
Опыт показывает, что потенциал мозаики при коммутации изменяется в пределах от - ( 0 5 - f - l) до ( 2 - - 3) в, что подтверждает правильность приведенного расчета. Однако хорошее совпадение расчетных и экспериментальных данных показывает также, что, по-видимому, ток вторичной эмиссии с элемента мозаики непосредственно перед коммутацией является насыщенным, так как при расчете не учитывался ток возвращающихся на мозаику электронов. Насыщенность вторично-эмиссионного тока с данного элемента может быть объяснена наличием вблизи элемента только что коммутированных элементов, имеющих вследствие этого более высокий потенциал и способность воспринять значительную долю вторичных электронов, уходящих с коммутируемого элемента. Это предположение справедливо и для фототока с освещенного элемента мозаики непосредственно перед коммутацией. Однако время существования насыщенного фототока очень мало по сравнению с периодом кадровой развертки. [32]
 |
Анодные характеристики эффект возникает только тогда, тетрода когда напряжение на аноде. [33] |
При увеличении анодного напряжения анодный ток сначала возрастает, так как при малой скорости первичные электроны не выбивают вторичных электронов. Затем появляется вторичная эмиссия, и анодный ток уменьшается. При дальнейшем увеличении анодного напряжения ток вторичной эмиссии уменьшается, а анодный ток снова возрастает. Когда анодное напряжение станет больше напряжения экранирующей сетки, вторичная эмиссия не прекращается, но она уже не обнаруживается, так как вторичные электроны, выбитые с анода, теперь все возвращаются на анод. В этом случае наблюдается попадание на анод вторичных электронов, выбитых с экранирующей сетки, за счет которых анодный ток дополнительно возрастает, а ток экранной сетки несколько уменьшается. Характеристика анодного тока имеет провал и падающий участок, в пределах которого анодный ток при увеличении анодного напряжения не увеличивается, а уменьшается. [34]
 |
Анодная характеристика тетрода.| Схема включения сеток пентода. [35] |
Чтобы сохранить достоинства тетрода и устранить его недостаток - провал анодной характеристики, достаточно дополнить устройство лампы пятым электродом - третьей сеткой, поместив ее между экранной сеткой и анодом. Соответствующая пятиэлектродная лампа называется пентодом. Ее третья сетка, защищающая от возникновения тока вторичной эмиссии, называется защитной или антидина-тронной. Отрицательный потенциал защитной сетки отталкивает электроны вторичной эмиссии обратно на анод, и таким образом, препятствует возникновению тока вторичной эмиссии. [36]
При малых скоростях первичных электронов ( энергия порядка нескольких электрон-вольт) происходит их отражение от поверхности твердого тела. При повышенных скоростях первичный электрон выбивает из кристаллической решетки один, а при достаточно больших скоростях - несколько вторичных электронов. Дальнейшее увеличение энергии первичных электронов сопровождается уменьшением тока вторичной эмиссии, так как первичные электроны вызывают появление вторичных электронов в глубине твердого тела и последние в меньшем количестве выходят из него. Вторичная эмиссия почти но зависит от работы выхода, но сильно зависит от чистоты поверхности. У чистых металлов она мала. Наличие на поверхности адсорбированных газов значительно увеличивает ток вторичной эмиссии. [37]
Оказывается, что уже при световых потоках около 0 5 лм невозможно получить насыщение [ й8 ] - ток растет с увеличением напряжения на аноде. Увеличение тока с возрастанием напряжения обусловлено наложением на истинный фототок тока вторичной эмиссии. [38]
Такая пятиэлектронная лампа называется пентодом. Ее третья сетка, защищающая от Неблагоприятных последствий-возникновения тока вторичной эмиссии, называется защитной или антидинатронной. Вследствие отрицательного по отношению к аноду потенциала защитной сетки электроны вторичной эмиссии отталкиваются обратно на анод и, таким образом, ток вторичной эмиссии не возникает. [39]
Лукирского и Лушевой [16] падение потенциала вдоль слоя на расстоянии в несколько сантиметров от платинового ввода превышает 50 в. Следовательно, участки, отдаленные от платинового ввода, находятся под положительным потенциалом относительно потенциала ввода. Наличие на катоде участков с повышенным потенциалом приводит к тому, что фотоэлектроны, вылетающие из катода, попадают не на анод, а на эти участки и создают ток вторичной эмиссии. Вторично-электронный ток может быть значительным, так как сурьмяно-цезиевый слой является эффективным эмиттером вторичных электронов. [40]
Большое влияние на качество работы и долговечность ускорителей, магнетронов, клистронов и других электровакуумных приборов оказывает склонность конструкционных материалов к вторичой эмиссии. Титан имеет значительно меньшую величину тока эмиссии по сравнению с W, Mo, Zr, Cu, Ni, Fe, поэтому применяется как материал для непосредственного изготовления или нанесения покрытия на другие материалы при необходимости снижения тока вторичной эмиссии. [41]
 |
Условное обозначение 1 пентодов в схемах. [42] |
Пентод обладает всеми преимуществами тетрода и не имеет его недостатков; он является наиболее совершенной лампой. Защитная сетка пентода присоединяется к катоду ( рис. 11 - 24) и имеет потенциал, близкий к нулю. Относительно анода напряжение ее отрицательно, поэтому защитная сетка отталкивает вторичные электроны обратно на анод и не пропускает их к экранизирующей сетке, даже если напряжение на ней выше, чем на аноде. Следовательно, при наличии защитной сетки не возникает тока вторичной эмиссии. [43]
Чтобы сохранить достоинства тетрода и устранить его недостаток - провал анодной характеристики, достаточно дополнить устройство лампы пятым электродом - третьей сеткой, поместив ее между экранной сеткой и анодом. Соответствующая пятиэлектродная лампа называется пентодом. Ее третья сетка, защищающая от возникновения тока вторичной эмиссии, называется защитной или антидина-тронной. Отрицательный потенциал защитной сетки отталкивает электроны вторичной эмиссии обратно на анод, и таким образом, препятствует возникновению тока вторичной эмиссии. [44]
При малых скоростях первичных электронов ( энергия порядка нескольких электрон-вольт) происходит их отражение от поверхности твердого тела. При повышенных скоростях первичный электрон выбивает из кристаллической решетки один, а при достаточно больших скоростях - несколько вторичных электронов. Дальнейшее увеличение энергии первичных электронов сопровождается уменьшением тока вторичной эмиссии, так как первичные электроны вызывают появление вторичных электронов в глубине твердого тела и последние в меньшем количестве выходят из него. Вторичная эмиссия почти но зависит от работы выхода, но сильно зависит от чистоты поверхности. У чистых металлов она мала. Наличие на поверхности адсорбированных газов значительно увеличивает ток вторичной эмиссии. [45]
Страницы: 1 2 3 4