Cтраница 2
Электронный ток в такой лампе зависит не только от потенциала анода, но и от потенциала сетки относительно катода. При положительном потенциале сетки пространственный заряд в лампе уменьшится и ток анода будет больше. [16]
Электронный ток в лампах представляет собой движение отдельных электронов, испускаемых катодом и доходящих до анода. Несмотря на то, что средний анодный ток может быть величиной постоянной в зависимости от числа одновременно достигших анода электронэв, анодный ток будет меняться во времени. [17]
Диффузионный электронный ток и концентрация электронов в / 7-области уменьшаются с расстоянием от перехода вследствие рекомбинаций. [18]
Электронный ток J складывается из этих двух частей направленного тока и тока диффузии. [19]
Электронный ток катода, пройдя первую сетку, распределяется между анодом и второй сеткой. Ток второй сетки является бесполезным, поэтому при конструировании экранированных ламп его стремятся уменьшить. [20]
Падающий электронный ток IQ не только ионизирует атомы на поверхности, но порождает еще и вторично-электронную эмиссию из атомов, лежащих ниже. Некоторые из вторичных электронов будут в свою очередь иметь достаточную энергию для того, чтобы ионизировать поверхностные атомы, если рассеются в сторону поверхности. Эти быстрые поверхностные электроны часто называют обратнорассеянны-ми электронами. [21]
Электронный ток вакуумного фотоэлемента ( рис. 3 - 10 а) зависит от напряжения питания-только при малых значениях разности потенциалов между анодом и катодом. При малых напряжениях питания не все фотоэлектроны, вышедшие за пределы катода, достигают анода, так как малое-ускорение, создаваемое в этом случае полем, достаточно лишь для переноса тех электронов, которые обладали при выходе скоростью. Фотоэлектроны, возникшие в результате поглощения фотонов с малой энергией, следовательно, не имеющие достаточной начальной скорости, при этом-возвращаются на катод, не достигнув анода. Для обеспечения переноса всех фотоэлектронов на анод необходимо наличие такой разности потенциалов между анодом и катодом, которая была бы достаточной для переноса на анод электрона, обладающего нулевой начальной скоростью. Эта разность потенциалов, называема напряжением насыщения, зависит от конструктивного выполнений фотоэлемента, освещенности его катода, спектрального состава излучения и других причин. Вольт-амперная характеристика газораз-рядных фотоэлементов, нарастающая в рабочей ее части ( рис. 3 - 10 6), определяется непрерывным ростом ионов газа по мере увеличения рабочего напряжения, а следовательно, скороста движения фотоэлектронов. [22]
Здесь электронный ток лампы делится между анодом и сеткой и сеточный ток является функцией анодного и сеточного напряжения. [23]
![]() |
Движение носителей в транзисторе типа р-п - р ( а и распределение концентрации носителей в нем ( б. [24] |
Электронному току - / g, входящему в базу, отвечает противоположно направленный ему ток во внешней цепи / б так как направление тока, как и в любой электрической цепи, учитывается по движению условных положительных зарядов. [25]
![]() |
Типичные кривые зависимости коэффициента вторичной эмиссии от энергии первичных электронов. [26] |
Вторичным электронным током называется ток, образованный электронами всех трех потоков: потока электронов, испытавших упругое отражение, потока электронов, испытавших неупругое отражение, и потока истинных вторичных электронов. Важнейшим компонентом общего потЬка вторичных электронов являются истинные вторичные электроны. Коэффициент вторичной эмиссии 0 определяется следующим выражением: aN2 / Ni, где JV2 - среднее число эмиттируемых вторичных электронов; Л - число первичных электронов, падающих на поверхность. Вторичная эмиссия - явление практически безынерционное. [27]
![]() |
Типичные кривые зависимости коэффициента вторичной эмиссии от энергии первичных электронов. [28] |
Вторичным электронным током называется ток, образованный эдектронами всех трех потоков: потока электронов, испытавших упругое отражение, потока электронов, испытавших неупругое отражение, и потока истинных вторичных электронов. Важнейшим компонентом общего потока вторичных электронов являются истинные вторичные электроны. Коэффициент вторичной эмиссии 0 определяется следующим выражением: 0Л / Л, где N2 - среднее число - эмиттируемых вторичных электронов; А - число первичных электронов, падающих на поверхность. Вторичная эмиссия - явление практически безынерционное. [29]
Пуоь электронный ток течет в объеме, где кроме каюда, потенциал KCiir. [30]