Cтраница 3
Если электронный ток, создаваемый накаливаемым катодом, ограничен пространственным зарядом, то импульсы тока, создаваемые отдельными электронами, уже нельзя считать взаимно независимыми. [31]
Рассмотрим электронный ток в газе, пренебрегая существованием ионов, что возможно при слабой ионизации газа. Движение свободных электронов среди нейтральных частиц газа происходит под действием электрического поля, отчасти аналогично падению шарика в вязкой среде. Как шарик под действием силы тяжести движется первоначально ускоренно, пока, наконец, не приобретает такую скорость, что сила тяжести уравновешивается силой внутреннего трения, так и электрон под действием электрического поля наращивает скорость упорядоченного движения, антипараллельного напряженности поля. Этот процесс увеличения скорости упорядоченного движения продолжается до тех пор, когда, наконец, приращение кинетической энергии электрона сравнивается с отдачей энергии тем частицам газа, с которыми электрон неизбежно сталкивается при своем движении. [32]
Этот электронный ток уходит через базовый электрод. [33]
![]() |
Области с различной концентрацией. [34] |
Если электронный ток течет к поверхности полупроводника, то у г будет происходить понижение плотности электронов. Граничные условия, обеспечивающие протекание тока, состоят в том, что у г только электроны являются переносчиками тока, а в объеме полупроводника, за пределами диффузной области, весь ток в основном переносится дырками. [35]
Если электронный ток течет к поверхности полупроводника, то у г будет происходить понижение плотности электронов. Граничные условия, обеспечивающие протекание тока, состоят в том. [36]
Рассмотрим электронный ток и разложим ф по операторам рождения и уничтожения частиц. [37]
Измеряется электронный ток насыщения / 2 на положительный коллектор, обусловленный ионизацией под действием первичных ионов. [38]
Чтобы дырочные и электронные токи могли быть соленоидальными ( что соответствует отсутствию рекомбинации), произведения / Vcpp и reVcpn должны быть постоянными. Так как р и п в области перехода значительно понижены соответственно на электронной и дырочной сторонах перехода, то должны быть велики значения Vcpp и Vtpn. Точное рассмотрение случая еще больших обратных напряжений не удалось провести, так как для этого необходимо решить задачу о биполярной проводимости в присутствии пространственного заряда. [39]
Плотность электронного тока / ск быстро нарастает от слоя 1 к слою 3, а плотность ионного тока / jK увеличивается в направлении к катоду. [40]
Величина электронного тока на поверхность тела равна. [41]
Кроме электронного тока с катода на сетку при отрицательных потенциалах сетки, в большинстве ламп существует ток обратного направления, называемый обратным сеточным током. Причинами появления обратного сеточного тока служат термоэмиссия сетки, ионизация остаточных газов в лампе и несовершенство изоляции. [42]
Величина электронного тока в малошумящей ЛБВ может быть малой, что облегчает его формирование и фокусировку. [43]
Прохождение электронного тока связано с образованием объемного электронного заряда, изменяющего диэлектрическую постоянную междуэлектродного пространства. [44]
Компоненты электронного тока: 1) дрейфовый ток, создаваемый электронами - неосновными носителями в дырочной области - при их движении под действием электрического поля из дырочной в электронную область; 2) диффузионный ток, создаваемый электронами - основными носителями в электронной области, - диффундирующими через потенциальный барьер. [45]