Генерационный ток

Cтраница 1

Генерационный ток через электронно-дырочный переход определяется числом носителей, пересекших в единицу времени какую-либо его границу, или числом образовавшихся пар. [1]

Полезно сопоставить полученное значение генерационного тока с рассчитанным ранее диффузионным током. Сравним несимметричные диоды с толстой базой га-типа. [2]

Генерация ( а и рекомбинация ( б носителей в области объемного заряда.| Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода. [3]

Таким образом, доля генерационного тока обратно пропорциональна собственной концентрации. Следовательно, процессы генерации в области объемного заряда более существенны для диодов, изготовленных из полупроводников с большой шириной запрещенной зоны, потому что для них Hi меньше. Так, для - германиевых диодов генерационный ток при комнатной температуре обычно порядка 0 1 от диффузионного, а для кремниевых диодов, хотя генерационный ток меньше, он может превосходить / шс на 2 - 3 порядка. [4]

Как и при расчете генерационного тока, - можно показать, что рекомбинация в области объемного заряда более существенна для диодов, изготовленных из полупроводников с большой шириной запрещенной зоны. Например, в полупроводниковых диодах из кремния она играет большую роль, чем в германиевых, особенно при низких температурах. В полупроводниковых диодах, изготовленных из материалов с большой шириной запрещенной зоны и малым временем жизни носителей ( например, карбид кремния), прямой ток почти полностью орределяется рекомбинацией носителей в области объемного заряда. [5]

Обратный ток коллекторного перехода, практически являясь генерационным током, экспоненциально растет с температурой. При ьллых значениях коэффициентов передачи тока составных транзисторов ai и ag ток утечки тиристора примерно равен обратному току коллекторного перехода и по существу также экспоненциально возрастает с ростом температуры. [6]

Генерация ( а и рекомбинация ( б носителей в области объемного заряда.| Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода. [7]

Значит, с повышением температуры относительная роль генерационного тока падает. [8]

Рост / КБО может быть обусловлен увеличением генерационного тока ( § 1.9), тока утечки по поверхности, а также лавинным пробоем р - - перехода. Наиболее предпочтительным для использования в р-л - р - - структурах является механизм увеличения тока за счет лавинного умножения, так как при других механизмах растет ток через структуру до включения, что ухудшает ее ключевые свойства. [9]

Если п, мало, то будет преобладать генерационный ток. В кремнии это имеет место вплоть до комнатной температуры, а в германии - при низких температурах. Кроме того, ток, вызванный генерацией носителей в переходном слое, пропорционален объему переходного слоя. Это - вторая причина, из-за которой практически не наблюдается ток насыщения. При комнатной температуре генерацион-ный ток в переходном слое является доминирующим для кремния, а в случае германия он полностью маскируется ( перекрывается) током насыщения / s и током утечки. [10]

Увеличение / КБО с ростом напряжения может быть обусловлено возрастанием генерационного тока и тока утечки по поверхности, а также лавинным пробоем р-п-перехода. [11]

Прямой и обратный ток контролируемого полем кремниевого диода с п - р-переходом в зависимости от напряжения на полевом электроде V. [12]

По мере увеличения истощающих изгибов зон под полевым электродом ( рис. 5.13, б) генерационный ток увеличивается вследствие возрастания как объемной, так и поверхностной генерационных составляющих. [13]

Следовательно, на низких частотах, таких, что выполняется уравнение (4.44), рекомбинационный ток при прямом смещении и генерационный ток при обратном смещении показывают полный дробовой шум. [14]

При хранении заряда на емкости обратно смещенного р - л-перехода разряд емкости происходит под действием, главным образом, поверхностных генерационных токов и токов утечки, значение которых при высоких температурах может достигать 10 - 9 А. При этом постоянная времени разряда емкости 1 пф по порядку величины составляет 1 мс. [15]

Страницы: 1 2 3