Cтраница 3
Таким образом, доля генерационного тока обратно пропорциональна собственной концентрации. Следовательно, процессы генерации в области объемного заряда более существенны для диодов, изготовленных из полупроводников с большой шириной запрещенной зоны, потому что для них Hi меньше. Так, для - германиевых диодов генерационный ток при комнатной температуре обычно порядка 0 1 от диффузионного, а для кремниевых диодов, хотя генерационный ток меньше, он может превосходить / шс на 2 - 3 порядка. [31]
Таким образом, доля генерационного тока обратно пропорциональна собственной концентрации. Следовательно, процессы генерации в области объемного заряда более существенны для диодов, изготовленных из полупроводников с большой шириной запрещенной зоны, потому что для них Hi меньше. Так, для - германиевых диодов генерационный ток при комнатной температуре обычно порядка 0 1 от диффузионного, а для кремниевых диодов, хотя генерационный ток меньше, он может превосходить / шс на 2 - 3 порядка. [32]
Он содержит среднюю составляющую / р, определяемую средним числом захватов носителей, и случайную - как отклонение от среднего, т.е. шум. При генерации носителя центром рекомбинации поле электрического перехода переводит носитель в область, где он становится основным. Этому процессу также соответствует элементарный импульс во внешней цепи, но противоположной полярности. Сумма таких импульсов образует генерационный ток, имеющий среднюю / г и флуктуацион-ную составляющие. Эти формулы по форме записи совпадают с выражением для дробового шума, но отличаются по значению спектральных плотностей. [33]
Глубокие энергетические уровни играют в этом случае роль не рекомбинационных, а генерационных центров. Электроны из валентной зоны, обладающие достаточной энергией, переходят сначала на эти уровни, а от них - в зону проводимости, При этом на месте каждого электрона, перешедшего в зону проводимости, в валентной зоне остается одна дырка. Таким образом, как и при рекомбинации, генерация электронов и дырок происходит только попарно. Генерированные электроны перебрасываются электрическим полем перехода в n - область, а дырки - в р-об-ласть. Благодаря этому через переход течет так называемый генерационный ток / ген. [34]